qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計,接下來將面臨史上最缺貨的第3季,而該公司也積極備戰(zhàn),近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金,大舉吃下某大廠釋出的貨源,為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時,建立的庫存水位一度超過三億美元,后來市場景氣于去年第3季開始往上,價格走升,也讓該公司因此大賺。 潘健成提到,今年大概只有5月有機會多收貨,所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源,預(yù)計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時,手
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2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響,即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季,渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下,2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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Gartner:2016年全球半導(dǎo)體收入增長2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率?! artner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強,定價環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長的因素包括多項電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設(shè)自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器,通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序,以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事,因此電腦可以了解周圍的世界,成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術(shù)語的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中,我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中,將推動NAND銷售,從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
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東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化?韓媒:三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè),但競標(biāo)者眾、過程冗長,如此一來,韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日報導(dǎo),Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出,東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后,這會讓供給短缺更形惡化,也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。 美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
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東芝是大股東的群聯(lián)董事長:東芝芯片會賣給日資
- 東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親,包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿,東芝是群聯(lián)大股東,對于東芝內(nèi)存出售案,但長期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析,東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果,將會由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下,仍會維持原有東芝控制權(quán),再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。 潘健成強調(diào),東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣,東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體,而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù),引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè),因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨立新公司
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傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達(dá)219.5億美元
- 三星登上全球半導(dǎo)體龍頭,不惜砸重金投入研發(fā),傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預(yù)測,三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元),較 2016 年成長 85.6%,且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 存儲器目前供不應(yīng)求,也是三星今年布局的重點,預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測,光是 NAND 快閃存儲器,三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機密
- 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額),但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作,因為大家的最大
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷
- 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額),但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作,因為大
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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場
- 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體,主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上,增加了回路垂直排列,大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市,三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND,SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
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全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年,包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局,SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍,由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換,良率仍不穩(wěn)定,加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛,造成NAND Flash市場大缺貨,業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增,全面開啟3D NAND Flash時代。 三星在2
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