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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  •   由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過(guò)240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。        2015年中,國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片

  •   大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開(kāi),初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn),武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠,最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片,盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代,然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。   盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代,但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際,大
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NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page),64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block),4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
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西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)

  •   全球硬盤(pán)機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒(méi)市場(chǎng),重創(chuàng)NAND價(jià)格。   巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前,生產(chǎn)64層3D NAND flash,此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱,當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán),將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價(jià)格續(xù)揚(yáng)

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示,在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲,預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPhone 7的銷售
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TrendForce:第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯,價(jià)格續(xù)揚(yáng)

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲,預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPh
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未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折 新興驅(qū)動(dòng)力具獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

  • 未來(lái)半導(dǎo)體進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折,包括邏輯芯片制程技術(shù)推進(jìn)到10/7納米;存儲(chǔ)器推進(jìn)到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來(lái)愈小,制圖成型依賴愈來(lái)愈高;移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會(huì)愈來(lái)愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在?

  • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),其三大主流產(chǎn)品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。
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中國(guó)手機(jī)出貨強(qiáng)勁 推動(dòng)?xùn)|芝營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍

  •   據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預(yù)期為300億日元。   受此消息推動(dòng),東芝股價(jià)在周三快速上漲,創(chuàng)下自去年10月以來(lái)的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期,該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。   智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期。另外,比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。   芯片需求的增長(zhǎng)源于中國(guó)智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)乏力,但是中國(guó)智能機(jī)出
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NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測(cè)

  •   先前,因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波,因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測(cè),預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn),較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%,每股EPS也將達(dá)到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。   東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升,尤其在中國(guó)市場(chǎng),在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力,所以需要性能越來(lái)越好的NAND閃存產(chǎn)品,導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng),如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

  •   日媒稱,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值,速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長(zhǎng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過(guò)30%。中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面,半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。   據(jù)外媒報(bào)道,“采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了”,東電電子社長(zhǎng)河合利樹(shù)無(wú)法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
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日媒:中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)

  •   據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道,韓國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。   今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元,排名第一的美國(guó)英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元,市場(chǎng)份額為14.7%。   三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn),2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn),2014年3.4個(gè)百分點(diǎn),2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然,今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上,但
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第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行

  •   第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。   受惠于中國(guó)智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂,通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。   DRAM
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

  •   美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫(xiě)入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價(jià)為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng),而且我們發(fā)現(xiàn)有越來(lái)越多的電腦設(shè)備開(kāi)始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰,不過(guò)必須承認(rèn)的
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TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(zhǎng)3.4%

  •   受惠于中國(guó)智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂,渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢(shì)。        DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,第三?/li>
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