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新興市場智能手機需求增　2017年NAND供貨仍吃緊

  • 　　隨著全球?qū)τ谑謾C、電腦、汽車等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當?shù)叵M者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。 　　群聯(lián)董事長潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉去做3D
  • 關鍵字： SSD  NAND   

2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

  • 　　根據(jù) SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 　　SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
  • 關鍵字： 晶圓  NAND   

賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標準的DDR4 NVDIMM-N解決方案

  • 　　賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領先的在JEDEC 標準發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案。　　Ag
  • 關鍵字： 賽普拉斯  NAND  

存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

  • 　　在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。   　　為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 　　在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

DRAM/NAND價格回升 存儲器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產(chǎn)值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

中國集成電路擴建之后 降低成本是關鍵

  • 　　或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。 　　長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進水平。 　　隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進，中國IC業(yè)
  • 關鍵字： 集成電路  NAND  

紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資超240億美元

  • 　　中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 　　紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠” 　　2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。 　　12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
  • 關鍵字： 紫光  NAND   

漫漫存儲路 中國還有幾道關卡待過

  • 現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現(xiàn)狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
  • 關鍵字： 存儲路  NAND   

2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價格走揚

  • 　　2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 　　TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現(xiàn)持續(xù)往上。 　　DRAMeXch
  • 關鍵字： NAND  TrendForce  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 　　SK海力士曾在20
  • 關鍵字： NAND Flash  SK海力士  

美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D　二代3D NAND將進入大批量產(chǎn)

  • 　　美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 　　科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。 　　據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
  • 關鍵字： 美光  NAND  

東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

  • 　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。 　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

  • 　　今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
  • 關鍵字： 美光  NAND  

?NAND缺口達顛峰　推升SSD價漲逾10%

  • 　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 　　DRAM
  • 關鍵字： ?NAND  SSD  

不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品

  • 　　三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 　　目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
  • 關鍵字： Intel  NAND  
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