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三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開

  • 　　三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個百分點(diǎn)至36.6%。(韓國經(jīng)濟(jì)日報) 　　同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。 　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
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[ARM筆記]驅(qū)動對設(shè)備的識別過程及實(shí)例——NAND Flash

  • 　　驅(qū)動程序識別設(shè)備時，有以下兩種方法：　　(1)驅(qū)動程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅(qū)動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設(shè)備?！　?2)驅(qū)動程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動程序時，將驅(qū)動程序與這些設(shè)備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動程序與某個設(shè)備匹配，就可以通過該驅(qū)動程序來操作這個設(shè)備了?！　?nèi)核常使用第二種方法來識別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個文件中管理，當(dāng)開發(fā)板的配置改變時，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募靖黜?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
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GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析

  • 在理解bootloader后,花些時間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
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大陸存儲器需求進(jìn)展超預(yù)期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

  • 　　日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲器因市場需求大，帶動價格上揚(yáng)，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。 　　東芝財務(wù)長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機(jī)對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。 　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲器約3美元，價格
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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中國半導(dǎo)體市場暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

  • 　　根據(jù)彭博社的報導(dǎo)，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營業(yè)利益上調(diào) 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 　　根據(jù)報導(dǎo)，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營收，從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護(hù)航 　　以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計思想。
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關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒

  • 　　隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設(shè)備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設(shè)備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。 　　那么，在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設(shè)備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。 　　閃存顆粒的釋義及廠商 　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
  • 關(guān)鍵字： Flash  NAND  02A  1FT    

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

  • 　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項(xiàng)目預(yù)
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如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  • 　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
  • 關(guān)鍵字： Nand Flash  寄存器  
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