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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降

  •   Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個相對低點(diǎn)。   Gartner 表示,自 2016 年中期以來,隨著 NAND Flash 的漲價,SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過,這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果,在產(chǎn)能陸續(xù)開出后,市場價格就一反過去的漲勢,開始出現(xiàn)下跌的情況。   Gart
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SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫

  •   這次大概介紹了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法。  一、 接線  這個開發(fā)板搭載了一個256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下:        偷個懶,直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外,PC18復(fù)用為輸入
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢:72層3D NAND閃存問世

  •   隨著APP體積不斷擴(kuò)大,以及照片、視頻等文件逐漸累積,消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番,最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率,但是256GB就夠了嗎?        日前,海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB),閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB。    
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技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足 內(nèi)存價格持續(xù)上漲

  • 從去年年中開始,以固態(tài)硬盤為代表的,包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品,開始緩慢漲價。
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買家眾多 東芝存儲業(yè)務(wù)將花落誰家?

  • 東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣,被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來改善其財務(wù)狀況,究竟東芝存儲業(yè)務(wù)花落誰家,雖然在近期就可以揭曉。
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乘上存儲芯片漲價潮 美光Q2業(yè)績超預(yù)期

  •   北京時間3月24日上午消息,由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲芯片價格上升,美光科技預(yù)計當(dāng)前季度的營收和利潤遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財季利潤也超出分析師預(yù)期,促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。   由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片,引發(fā)了供應(yīng)瓶頸,但與此同時,智能手機(jī)、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升,導(dǎo)致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。   美光科技周四表示,該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%,此前一個季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  •   三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。   三星新芯片廠于 2015 年動土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。   新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器??扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲存設(shè)備。   市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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長江存儲3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)

  •   NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。   長江存儲科技前身是武漢新芯公司,該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,隨后
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DRAM與NAND差別這么大,存儲之爭都爭啥?

  •   什么是DRAM?  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))  工作原理  動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的?! ?nbsp; 
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DRAM邁入3D時代!

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn),是儲存電容的高深寬比,為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命,在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)

  •   NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。   長江存儲科技前身是武漢新芯公司,該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年

  •   市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況,NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。   集邦科技調(diào)查,隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰,產(chǎn)品平均售價走揚(yáng),加上終端出貨暢旺,去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元,季增達(dá)17.8%,各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。   集邦科技指出,三星去年第4季市占率37.1%,穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%,居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%,居第3大
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發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法,及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲器價格大漲

  •   據(jù)海外媒體報道,去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND,但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。   不過,隨著3DNAND加速量產(chǎn),下半年產(chǎn)能若順利開出,將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。   2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮,如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米,東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米,美光導(dǎo)
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