首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic mosfet

利用低端柵極驅(qū)動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)

  • 利用低端柵極驅(qū)動器IC可以簡化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動器，驅(qū)動器周圍需要哪些補償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計時要注意的方面。
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  開關(guān)電源  柵極驅(qū)動器  200912  

D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

  • 　　市場需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮 　　● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間 　　陳坤和 　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  MOSFET  

針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器

  • 現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  選擇正確  驅(qū)動器    

Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET

  • 　　Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。 　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關(guān)位置的嚴格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。 　　兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  

MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
  • 關(guān)鍵字： 研究  模型  噪聲  電流  MOSFET  

功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

  • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  MOSFET  IGBT  

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)    

Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 　　在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB  

安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  溝槽  同步降壓轉(zhuǎn)換器  

理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

  • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。

  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗    

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
  • 關(guān)鍵字： 不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應(yīng)用  MOSFET  

采用射頻功率MOSFET設(shè)計功率放大器

  • 1. 引言
    　本文設(shè)計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設(shè)計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進行了優(yōu)化設(shè)計，使之更適用于射頻功率放大器
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  射頻功率  功率放大器    

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關(guān)鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  
共1627條 97/109 |‹ « 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 » ›|

sic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473