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xl-flash 文章 進(jìn)入xl-flash技術(shù)社區(qū)
淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效
- 前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象,在電子應(yīng)用中,基于環(huán)境、自然等因素,半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后,其功能會(huì)逐漸喪失,這被稱(chēng)為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái),電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著集成電路的飛速發(fā)展,人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關(guān)鍵字: 電遷移 半導(dǎo)體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%
- 供應(yīng)商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮
- 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì),供應(yīng)鏈人士透露,2024 年 1 月,預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%,并保持上漲態(tài)勢(shì),到第二季度,漲幅將達(dá)到 10%。過(guò)去幾年,隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化,NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟,而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升,導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后,NOR Flash 價(jià)格在 2
- 關(guān)鍵字: NOR Flash
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù),改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面;NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門(mén)) &?NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器,可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?!?兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程?!?兩者在寫(xiě)之前都要先
- 關(guān)鍵字: NAN Flash NOR 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì),但為避免缺貨,買(mǎi)方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位,而供應(yīng)商為減少虧損,對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行,預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是,NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅,但由于短期內(nèi)漲幅過(guò)高,需求腳步卻跟不上,后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴(lài)Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一,隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報(bào)告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確,帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求,以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢(xún)認(rèn)為買(mǎi)賣(mài)雙方庫(kù)存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢(xún)認(rèn)為明年第 1 季
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
明年半導(dǎo)體暴增20%,哪些賽道市場(chǎng)回暖?
- 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟,市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾,半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境,不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過(guò)冬就是春,最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)總算是迎來(lái)了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測(cè),認(rèn)為半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)觸底,明年開(kāi)始半導(dǎo)體將會(huì)加速恢復(fù)增長(zhǎng)。在它的預(yù)測(cè)中,2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元,2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年,全球半導(dǎo)體收入將同比增長(zhǎng) 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報(bào)研究經(jīng)理 Rudy Tor
- 關(guān)鍵字: NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈,DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升,內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn),帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào),內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看,第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商,則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 ?NAND Flash DRAM
兆易創(chuàng)新車(chē)規(guī)閃存產(chǎn)品成功應(yīng)用于懸架控制器,在奇瑞多款車(chē)型實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布,搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車(chē)規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的明然科技國(guó)產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器(CDC)出貨量已超數(shù)萬(wàn)臺(tái),并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車(chē)型上量產(chǎn)。在汽車(chē)底盤(pán)懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行,標(biāo)志著兆易創(chuàng)新車(chē)規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗(yàn)證。懸架是車(chē)架(或車(chē)身)與車(chē)轎(或車(chē)輪)之間的傳力連接裝置,分為傳統(tǒng)被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類(lèi),而主動(dòng)式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車(chē)輛的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)減振器阻尼力,使其更好地適用于當(dāng)前路段,懸架
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 懸架控制器 SPI NOR Flash
預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因,供應(yīng)方面:三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate
- 關(guān)鍵字: Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面,由于原廠及模組廠均積極漲價(jià),促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存,采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量,已在第三季推出促銷(xiāo),故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TrendForce
消息稱(chēng)三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道,三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低,公司計(jì)劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái),三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報(bào)道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開(kāi)始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND flash 漲價(jià)
集邦咨詢(xún):2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%,DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢(xún)報(bào)道,伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%,預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷,供過(guò)于求態(tài)勢(shì)延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(zhǎng)達(dá)19.9%,合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%,營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià),供過(guò)于求態(tài)勢(shì)有望因此獲得改善。不過(guò),由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多,在庫(kù)存仍高的情
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TrendForce
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