SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路

　　先進封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設(shè)計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設(shè)計能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且?guī)缀醪粫斐苫瘜W(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲存值。此外，即時冷卻功能可對現(xiàn)今微細特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制。

　　形成微細特征需要蝕刻制程(例如凸塊底層金屬 [UBM])，而其中蝕刻制程涉及多個金屬層，并指定使用不相容的化學(xué)品，而這些化學(xué)品不得接觸排放管路內(nèi)相同的浸濕區(qū)域。SSEC的執(zhí)行長Herman Itzkowitz解釋：「過去在單晶圓濕制程機臺上容納兩至三種化學(xué)品時，要利用收集器下方的導(dǎo)流閥才能完成，而只要化學(xué)品在短時間內(nèi)使用相同路徑時，導(dǎo)流閥足以擔(dān)負這項工作。一般來說，采用這種方法造成交叉污染的機率會小于1%。」現(xiàn)在，全新的排放管路設(shè)計采取多重收集法，減少煙霧且?guī)缀跄芡耆懦徊嫖廴荆蚨軌蛟谙嗤姆磻?yīng)室內(nèi)蝕刻多個金屬物。

　　除了可個別地密封多個排放管路開口以避免交叉污染外，本機臺的晶圓卡盤能在多路徑回收的過程中保持固定，形成恒定的冷卻特性，以便在必要時終止蝕刻制程，改善制程控制。此創(chuàng)新設(shè)計使SSEC出色的化學(xué)品儲存值可達到99.5%的化學(xué)品收集。高回收百分比加上降低交叉污染不但延長電解槽的使用壽命，也降低整體的購置成本。多路徑回收排放管路目前已是WaferEtch平臺的標準配備，而且也能在業(yè)內(nèi)現(xiàn)有之3300系列機臺上進行改裝。