應(yīng)用材料公司推出新eHARP 系統(tǒng)

　　近日，應(yīng)用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系統(tǒng)，為32納米及更小工藝節(jié)點上關(guān)鍵的STI（淺溝槽隔離）器件結(jié)構(gòu)提供已被生產(chǎn)驗證的HARP SACVD®空隙填充技術(shù)。eHARP工藝能夠提供無孔薄膜，用于填充小于30納米、長寬比大于12:1的空隙，從而滿足先進(jìn)存儲器件和邏輯器件的關(guān)鍵制造要求。該系統(tǒng)擁有多項工藝創(chuàng)新專利，能提供強(qiáng)勁的高密度應(yīng)力誘導(dǎo)薄膜，幫助推動傳統(tǒng)的平坦化和新興的3-D器件結(jié)構(gòu)向更小的技術(shù)節(jié)點發(fā)展。

　　應(yīng)用材料公司副總裁兼電介質(zhì)系統(tǒng)和化學(xué)機(jī)械研磨事業(yè)部總經(jīng)理Bill McClintock表示：“在過去的14年中，應(yīng)用材料公司作為業(yè)界的領(lǐng)先企業(yè)一直為客戶提供最先進(jìn)的HDP-CVD和SACVD空隙填充技術(shù)，滿足客戶最緊迫的工藝要求。Producer eHARP系統(tǒng)為客戶提供了32納米及更小技術(shù)節(jié)點上STI空隙填充的發(fā)展路徑，同時也不需要對現(xiàn)有的工藝流程進(jìn)行過大的改動?？蛻魝儗HARP系統(tǒng)的能力感到非常興奮，其中一些重要的器件生產(chǎn)廠商還將eHARP選定為先進(jìn)邏輯器件和存儲器件開發(fā)制造的參考系統(tǒng)。”

　　Producer eHARP技術(shù)同非CVD空隙填充技術(shù)相比，能夠提供最低的每片晶圓成本。eHARP薄膜不含碳，不需要保護(hù)層或者覆蓋層，能方便地和傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨工藝整合，并提供可靠強(qiáng)勁的器件隔離效果。此外，eHARP系統(tǒng)工藝中所使用的化學(xué)物品已經(jīng)經(jīng)過驗證，不會產(chǎn)生有害的液體副產(chǎn)品，因此也不需要特殊的化學(xué)處置。

　　eHARP工藝基于應(yīng)用材料公司聲譽(yù)卓著的Producer平臺，該平臺被業(yè)內(nèi)每一家芯片制造廠商用于包括低k沉積、應(yīng)力工程、光刻薄膜、PECVD*和SACVD*等先進(jìn)應(yīng)用中。超過500臺Producer系統(tǒng)已經(jīng)被運(yùn)送到客戶處用于SACVD應(yīng)用，進(jìn)行升級后它們?nèi)靠梢赃\(yùn)行eHARP工藝。