應(yīng)用材料公司推出新eHARP 系統(tǒng)
近日,應(yīng)用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系統(tǒng),為32納米及更小工藝節(jié)點上關(guān)鍵的STI(淺溝槽隔離)器件結(jié)構(gòu)提供已被生產(chǎn)驗證的HARP SACVD®空隙填充技術(shù)。eHARP工藝能夠提供無孔薄膜,用于填充小于30納米、長寬比大于12:1的空隙,從而滿足先進存儲器件和邏輯器件的關(guān)鍵制造要求。該系統(tǒng)擁有多項工藝創(chuàng)新專利,能提供強勁的高密度應(yīng)力誘導(dǎo)薄膜,幫助推動傳統(tǒng)的平坦化和新興的3-D器件結(jié)構(gòu)向更小的技術(shù)節(jié)點發(fā)展。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/86171.htm應(yīng)用材料公司副總裁兼電介質(zhì)系統(tǒng)和化學(xué)機械研磨事業(yè)部總經(jīng)理Bill McClintock表示:“在過去的14年中,應(yīng)用材料公司作為業(yè)界的領(lǐng)先企業(yè)一直為客戶提供最先進的HDP-CVD和SACVD空隙填充技術(shù),滿足客戶最緊迫的工藝要求。Producer eHARP系統(tǒng)為客戶提供了32納米及更小技術(shù)節(jié)點上STI空隙填充的發(fā)展路徑,同時也不需要對現(xiàn)有的工藝流程進行過大的改動??蛻魝儗HARP系統(tǒng)的能力感到非常興奮,其中一些重要的器件生產(chǎn)廠商還將eHARP選定為先進邏輯器件和存儲器件開發(fā)制造的參考系統(tǒng)。”
Producer eHARP技術(shù)同非CVD空隙填充技術(shù)相比,能夠提供最低的每片晶圓成本。eHARP薄膜不含碳,不需要保護層或者覆蓋層,能方便地和傳統(tǒng)化學(xué)機械研磨工藝整合,并提供可靠強勁的器件隔離效果。此外,eHARP系統(tǒng)工藝中所使用的化學(xué)物品已經(jīng)經(jīng)過驗證,不會產(chǎn)生有害的液體副產(chǎn)品,因此也不需要特殊的化學(xué)處置。
eHARP工藝基于應(yīng)用材料公司聲譽卓著的Producer平臺,該平臺被業(yè)內(nèi)每一家芯片制造廠商用于包括低k沉積、應(yīng)力工程、光刻薄膜、PECVD*和SACVD*等先進應(yīng)用中。超過500臺Producer系統(tǒng)已經(jīng)被運送到客戶處用于SACVD應(yīng)用,進行升級后它們?nèi)靠梢赃\行eHARP工藝。
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