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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD

  •   英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感,使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。   全新封裝采用表面貼裝方式,在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi),貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒,并具備金屬裸焊盤,便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計者設(shè)計出更薄的電源外殼,滿足當(dāng)今市場對時
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英飛凌預(yù)計2010財年營收增幅將高達(dá)30%

  •   英飛凌科技股份公司近日公布2010財年(截至2010年3月31日)第二季度的財務(wù)結(jié)果。   英飛凌第二季度的營收為10.35億歐元,相對于第一季度大幅提高10%,同比提高55%。各業(yè)務(wù)部的合并財務(wù)結(jié)果1為1.1億歐元,較上一季度增長25%。凈收入為7,900萬歐元,而上一季度的凈收入為6,600萬歐元。   2010財年第三季度,英飛凌預(yù)計公司銷售額的增長百分比將會達(dá)到較高的個位數(shù),相對于第二季度,各業(yè)務(wù)部的合并利益率將提高兩至四個百分點。   2010財年,英飛凌調(diào)整了對本年度的展望,因為20
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英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命,

  •   英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上,推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù),英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求,并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。   英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出:“通過推出全新的.XT技術(shù),英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)
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英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

  •   英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議,針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場,提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。   根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三菱電機(jī)將新一代功率芯片,應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級:600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  •   據(jù)國外媒體報道,歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示,結(jié)束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元),去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元,同比增長55%。   第二財季凈利潤好于分析師預(yù)期,營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計,該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利,而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達(dá)39億歐元。   英飛凌上調(diào)了
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  •   英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布,兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。   兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù),為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。   英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示:“我們的客戶將從功
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  •   全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。   兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù),為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。   飛兆半
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英飛凌第二季度業(yè)績強(qiáng)勁且前景看好

  •   英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財年(截止到2010年9月30日)第二季度業(yè)績和營收優(yōu)于預(yù)期水平,并且前景看好。   2009/10財年第二季度,英飛凌預(yù)計公司營收額將環(huán)比增長約10%。與此同時,英飛凌還預(yù)計,在剛結(jié)束的這個季度,公司分部利潤率有望達(dá)到10%以上。   在本財年第三季度,英飛凌預(yù)計公司營收將取得持續(xù)增長,而分部業(yè)績將實現(xiàn)大幅攀升。   英飛凌有望上調(diào)2009/10全年預(yù)期。公司將于4月28日公布第二季度財務(wù)數(shù)據(jù)時提供相關(guān)細(xì)節(jié)。   英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Pet
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英飛凌對爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查

  •   據(jù)外電報道,美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查,因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。   英飛凌方面稱,爾必達(dá)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令,禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義,向美國進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。   被調(diào)查的企業(yè)名單   USITC表示,將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條,對下列廠商展開調(diào)查,包括日商爾必
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需求拉動傳感器大幅增長

  •   機(jī)遇與挑戰(zhàn):   主動式傳感器應(yīng)用將越來越廣   汽車中所用的傳感器越來越多   市場數(shù)據(jù):   07年~12年中國汽車傳感器銷售額復(fù)合增長率將達(dá)到22.37%   中國已經(jīng)躍居世界第二大汽車市場   同07年比增長高達(dá)22.02%   汽車性能的提升以及汽車市場的蓬勃發(fā)展,推動了汽車傳感器的快速增長。被動式傳感器在某些應(yīng)用上已難以滿足高精度要求,主動式傳感器應(yīng)用將越來越廣。   隨著汽車性能的提升以及中國汽車市場的快速增長,汽車
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汽車級IGBT在混合動力車中的應(yīng)用

  • 混合動力車電力驅(qū)動的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動器,IGBT作為電機(jī)驅(qū)動器的核心,它的可靠性關(guān)系著混合動力車輛的安全運行,本文主要針對IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域,所涉及的可靠性相關(guān)問題進(jìn)行了探討,提出了汽車級IGBT概念,并詳細(xì)說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
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能效是永恒的熱門話題

  •   英飛凌中國副總裁兼執(zhí)行董事尹懷鹿將未來一年關(guān)注焦點鎖定在能源效率、無線通信和安全系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域。特別的,半導(dǎo)體是執(zhí)行能效政策不可或缺的部分,尤其是可回收能源以及更加高效的引擎驅(qū)動。   尹懷鹿   中國工業(yè)功率模塊市場具有巨大的潛力,主要表現(xiàn)在軌道交通、電動和混合動力汽車、風(fēng)能發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域。這都會催生市場對功率模塊產(chǎn)品的龐大需求。馬達(dá)驅(qū)動的關(guān)鍵器件就是IGBT。在風(fēng)能發(fā)電供應(yīng)鏈中,除了葉片、齒輪箱以及發(fā)電機(jī)外,風(fēng)電變流器已經(jīng)成為主要瓶頸之一,而其主要組成部分也是IGBT模塊、IGBT系統(tǒng)組件
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英飛凌推出兩個8位微控制器系列

  •   在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會上,英飛凌科技股份公司推出兩個功能強(qiáng)大的全新器件系列,壯大其經(jīng)濟(jì)高效并可擴(kuò)展的XC800微控制器(MCU)產(chǎn)品組合。全新的XC82x 和XC83x系列經(jīng)過專門設(shè)計,可進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本,并改進(jìn)多種工業(yè)產(chǎn)品的能效。   在設(shè)計風(fēng)扇、水泵、壓縮機(jī)、新型照明解決方案和任何電源轉(zhuǎn)換器的電機(jī)控制器時,主要目標(biāo)是提高能源效率,降低系統(tǒng)成本。采用智能控制概念并與各種通信接口連接,有助于充分滿足這些需求。英飛凌通過XC82x 和 XC83x8位微控制器系列,將行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8位80
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英飛凌推出可擴(kuò)展的全套高溫8位MCU系列

  •   在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會上,英飛凌科技股份公司宣布推出可擴(kuò)展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高達(dá)150 °C的環(huán)境中運行,能夠滿足汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品行業(yè)最嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。全新推出的XC800 150°C系列可以不受限制地應(yīng)用于溫度從-40 °C 至 150 °C的環(huán)境。這為昂貴復(fù)雜的散熱和制冷系統(tǒng)提供了一個高效的替代產(chǎn)品,同時為在惡劣的工作環(huán)境中應(yīng)用微控制器提供了可行的替代方案。   XC800 150°C系列是汽車產(chǎn)品的理想之選,例
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英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

  •   英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化,適合應(yīng)用于計算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。   通過大幅降低三個關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電
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