碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
安森美半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor),近日推出業(yè)界首款專用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級的能效通常為97%,LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而,用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,可減少電橋損耗,顯著提高整體能效。此外,NCP1680可適用于任何開關(guān)類型,無論是超級結(jié)
- 關(guān)鍵字: MOSFET
功率器件的演變
- 隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)(HVAC)和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化,電力需求只會增加。在每個功率級(發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗)所能達到的能效將決定整個電力基礎(chǔ)設(shè)施的負擔(dān)增加程度。在每個功率級,能效低會導(dǎo)致產(chǎn)生熱量,這是主要的副產(chǎn)物。通常,消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此,減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當(dāng)大的影響。在轉(zhuǎn)換級,電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。更高能效的半導(dǎo)體意味著更少的熱量,因此也減少了能源浪費。低能效的半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量是不可利用的,且大多是不需要的
- 關(guān)鍵字: 202105 MOSFET
碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)
- 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起,產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加,如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料,備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅(SiC)芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件,能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠,碳化硅(SiC)晶圓的供應(yīng)以美國大廠Cree為首,是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商(IDM),在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表;模
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 寬能隙半導(dǎo)體
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設(shè)備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,但出于設(shè)計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT
東芝為電動助力轉(zhuǎn)向打造電機驅(qū)動系統(tǒng)核心
- 隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設(shè)計日趨復(fù)雜化,汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全,如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風(fēng)險,如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出,為了解決上述難題,ISO26262 汽車功能安全國際標準應(yīng)運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣/電子系統(tǒng)故障而導(dǎo)致的不合理風(fēng)險。由于電子控制器失效的可預(yù)見性非常低,為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障,汽車系統(tǒng)也能在短期(故障容錯時間內(nèi))內(nèi)安全運行,需要進行功能安全防護。
- 關(guān)鍵字: 202106 MOSFET
碳化硅用于電機驅(qū)動
- 0? ?引言近年來,電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長,通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)(HVAC)、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅(qū)動的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字: 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進,智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾,越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn),證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢,例如,將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例,并與硅功率半導(dǎo)體進行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進,智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT
貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導(dǎo)體制造商。簽訂本協(xié)議后,貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品,包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝,與傳統(tǒng)晶圓工藝相比,該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關(guān)鍵字: MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)
- 近日,英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品,該模塊采用有源鉗位三電平(ANPC)拓撲結(jié)構(gòu),并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)(ESS)這樣的快速開關(guān)應(yīng)用,還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效,并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)(cos φ)范
- 關(guān)鍵字: MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證
- 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件,包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
- 關(guān)鍵字: MOSFET LET IC MCU
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor),近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊,進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設(shè)計人員面
- 關(guān)鍵字: MOSFET
三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
- 英飛凌科技向三星電子供應(yīng)具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式:RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當(dāng)代變頻器設(shè)計中,采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比,能讓產(chǎn)品應(yīng)用更安靜平穩(wěn)地運轉(zhuǎn),同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設(shè)計的冰箱,采用英飛凌多款電源解決方案:EiceDRIVER、CoolSET Gen 5,以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
- 關(guān)鍵字: 三星 MOSFET 英飛凌
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦(“光伏耦合器”)---“TLP3910”,適用于驅(qū)動高壓功率MOSFET的柵極,這類MOSFET用于實現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器(SSR)[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導(dǎo)體繼電器,它適用于對大電流執(zhí)行開/關(guān)控制的應(yīng)用。光伏耦合器是一種內(nèi)置光學(xué)器件但不具有用于執(zhí)行開關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設(shè)計時,通過將光伏耦合器與MOSFET結(jié)合使用,便
- 關(guān)鍵字: MOSFET SSR
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關(guān)鍵字: Nexperia 低RDS(on) MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473