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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品;新款HIP2210提供三電平PWM輸入,以簡化電源和電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴(yán)苛工作條件下的
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自有技術(shù)加持,安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

  • 寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn),由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于......
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說,當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時,如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品,通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3,改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系,與以往產(chǎn)品相比,在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
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Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間

  • Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝,可提升效率,大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較于典型雙芯片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn),有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)洌钥s小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
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東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關(guān)IPD

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2],適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān),這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時還提供免維護(hù)功能。通過提供增強(qiáng)功能(自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可
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采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用

  • 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?,近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力,可針對要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強(qiáng)的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用,包括電動工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項,有助于選擇應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外,
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NexperiaP溝道MOSFET,采用省空間堅固LFPAK56封裝

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用,可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品,在保證性能的基礎(chǔ)上,將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇,導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車等要求
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析

  • 2020年2月,碳化硅的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET,帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場景的?下一步產(chǎn)品計劃如何?碳化硅業(yè)的難點(diǎn)在哪里?為此,電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理 陳清源據(jù)悉,此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,采用2種插件TO-247封裝,既可采用典型的TO-247 三引腳封裝,也
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Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用,包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過36%的空間。由于采
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科銳推出新型650V MOSFET,提供業(yè)界領(lǐng)先效率,助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新

  • 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
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碳化硅發(fā)展勢頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機(jī)會,電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)模 式
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GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

  • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議,總價值可達(dá)5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議,GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長市場和應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國上海市,以下簡稱“UAES公司”)的電動汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
  • 關(guān)鍵字: OBC  SiC MOSFET  

工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動向

  • Steven?Shackell? (安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理)摘? 要:電動工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機(jī);工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī),同時 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機(jī)。 關(guān)鍵詞:電機(jī);電動工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列,尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機(jī)類型的 商機(jī)感到興奮,并非??春脽o刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用 (例如電動工具),
  • 關(guān)鍵字: 202003  電機(jī)  電動工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  
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碳化硅 mosfet介紹

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