首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?,10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平,采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝,專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
  • 關鍵字: MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎設施建設

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額,最終取代內燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內為電動汽車充滿電,他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
  • 關鍵字: MOSFET  PWM  BMS  

東芝與MikroElektronika展開合作,為電機驅動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,與MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司。客戶現(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史,因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機,東芝提供豐富的電機驅動
  • 關鍵字: NVM  IC  MOSFET  

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空,展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel,為該探測車提供了數(shù)千個經(jīng)過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關鍵字: MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
  • 關鍵字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現(xiàn)此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產(chǎn)生振蕩的機理,通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因,并結合實際應用給出具體的解決措施和方案,通過實驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明,措施有效,穩(wěn)定且可靠,對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字: 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài),探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中,耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系,最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸,更低輸出電容轉折點電壓,降低開關損耗,同時產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt,對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
  • 關鍵字: 202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場  

LED手術無影燈調光電路的設計及應用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術無影燈恒流驅動調光電路,詳細論述了調光電路的硬件和軟件方案的設計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅動模塊,集成調光控制模塊,可實現(xiàn)對大功率LED手術無影燈進行無極調光的功能,并且含有參數(shù)記憶模式,具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點,大大提高了LED手術無影燈的使用性能。
  • 關鍵字: 202008  LED手術無影燈  單片機  LM3404  調光控制  MOSFET  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor),推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?,該產(chǎn)品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字: MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建??梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流,無需功能先進的MCU或專用軟件。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅動IC“TB9120FTG”,它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻(上橋臂+下橋臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波(最高可
  • 關鍵字: IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證;可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關鍵字: OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開辟新應用領域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
  • 關鍵字: MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關IC適合400 VDC電動汽車應用

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC,新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET,可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源,這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片,只需要很少的外圍元件,而且占用的PC
  • 關鍵字: IC  MOSFET  
共1484條 34/99 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473