碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門(mén)用來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;)宣布，意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場(chǎng)占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價(jià)超過(guò)1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片，滿足時(shí)下市場(chǎng)對(duì)碳化硅功率器件日益增長(zhǎng)的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)
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環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭日前表示，明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟(jì)及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫(kù)存改善、拉貨動(dòng)能加溫，以及應(yīng)用擴(kuò)大等來(lái)看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動(dòng)能升溫速度優(yōu)于預(yù)期，她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會(huì)逐季成長(zhǎng)。
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者將電源效率提升4%，優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場(chǎng)及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開(kāi)關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來(lái)提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開(kāi)關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會(huì)產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）于12月2日宣布，完成對(duì)瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商N(yùn)orstel AB（“ Norstel”）的整體收購(gòu)。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購(gòu)了剩余的45％股份。Norstel并購(gòu)案總價(jià)為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開(kāi)SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達(dá)成合作，共同擴(kuò)展SiC在快速增長(zhǎng)大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體，這將助力科銳擴(kuò)大客戶基礎(chǔ)，同時(shí)加快ABB進(jìn)入正在快速擴(kuò)大的電動(dòng)汽車（EV）市場(chǎng)。
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北京經(jīng)開(kāi)區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破

一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實(shí)現(xiàn)都離不開(kāi)電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn)，國(guó)際上都在競(jìng)相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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國(guó)際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗(yàn)成功

近日，隨金牛座納星運(yùn)行了37天的碳化硅MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火，在軌驗(yàn)證了對(duì)金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導(dǎo)體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì)專家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來(lái)應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國(guó)、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國(guó)際廠商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
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