碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善,特別是導通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低,這些半導體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果,市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高,對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求,進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品,但在某些時候,收益遞減
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減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時要謹慎
- 開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的,因為這顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時,可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是,快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會帶來一些負面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時,干擾會急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi),在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù),即使是極快的開關(guān)邊沿,也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開關(guān)模式電源進行開關(guān)轉(zhuǎn)換,在開關(guān)節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關(guān)損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設(shè)備的功耗。另外,羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發(fā)展
- 最近,由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程,助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
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更高效的半導體材料——碳化硅
- 在功率電子學中,半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應(yīng)用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結(jié)合使用的原因。能源消耗在全球范圍內(nèi)不斷增長,風能和太陽能等可持續(xù)能源供應(yīng)變得越來越重要。然而,電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此,高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換成交流電的變電站和電力轉(zhuǎn)換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現(xiàn)代電力電子設(shè)備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應(yīng)晶體管的半導體材料制成的晶體管現(xiàn)在主要基于硅技術(shù)。然而,在硅上使
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安森美為20歲慶生,“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力
- 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時,安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標準半導體供應(yīng)商,2018年已達到年營收近60億美元,轉(zhuǎn)型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng)新的半導體方案供應(yīng)商。過去的20年,是半導體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年,也是并購重組頻繁的20年,很多中小公司在并購浪潮中淹沒了,而安森美卻逐漸壯大,形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經(jīng)驗是什么?如今的特色和對未來的觀察是什么?近日,安森美半導體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
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針對高耐用性和可靠性電源需求,意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
- 中國,2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件,即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護功能,MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓撲,包括原邊或副
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果
- 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文,并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應(yīng)用方面,越來越多的人則
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華為強力掃貨 手機、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催
- 中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒,華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨,熟悉功率元件業(yè)者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應(yīng)鏈以及臺系邏輯IC供應(yīng)體系外,瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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碳化硅 mosfet介紹
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