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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

  • 在本文中,我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率,以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下,純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時,降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明,純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
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安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

  • 奈梅亨,2020年2月19日:安世半導體,分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家,今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件,它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實現(xiàn),并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
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Vishay推出高效80 V MOSFET,導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP,它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率,從而節(jié)省能源,其導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為129 mW*nC,達到同類產(chǎn)品最佳水平。
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議

  • 近日,羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
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羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議

  • 近日,全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布,雙方就碳化硅(以下簡稱“SiC”)晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH (以下簡稱“SiCrystal”)供應(yīng)事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達成超1.2億美元的協(xié)議,由SiCrystal(SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設(shè)備提供半導體的全球性半導體制造商)供應(yīng)先進的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官(CEO) Jean-Marc Chery 說:
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環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫

  • 半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應(yīng)用擴大等來看,硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期,她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

  • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器,幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產(chǎn)品;功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源,典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲,影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
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使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊

  • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導體器件開和關(guān)的策略。目前最先進的寬帶器件,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能,如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗,以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求,例如,,通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢,這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
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意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

  • 近日, 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權(quán),收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現(xiàn)金支付。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場,包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開SiC合作

  • 全球碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶基礎(chǔ),同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車(EV)市場。
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應(yīng)用中
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北京經(jīng)開區(qū)第三代半導體現(xiàn)新突破

  • 一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點,國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實現(xiàn)第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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功率MOSFET的參數(shù)那么多,實際應(yīng)用中該怎么選?

  • 功率 MOSFET也有兩年多時間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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