碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

國(guó)際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗(yàn)成功

近日，隨金牛座納星運(yùn)行了37天的碳化硅MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火，在軌驗(yàn)證了對(duì)金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
關(guān)鍵字： MEMS 碳化硅微推力器陣列

第三代半導(dǎo)體將催生萬億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì)專家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國(guó)、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國(guó)際廠商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體碳化硅

SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對(duì)性能的要求越來越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導(dǎo)體

減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)要謹(jǐn)慎

開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的，因?yàn)檫@顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會(huì)帶來一些負(fù)面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對(duì)開關(guān)模式電源進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換，在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
關(guān)鍵字：開關(guān) MOSFET

ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營(yíng)銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對(duì)工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費(fèi)類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實(shí)現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個(gè)大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會(huì)非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對(duì)某一類小應(yīng)用/小客戶的需
關(guān)鍵字：電機(jī) MCU 電源 SiC

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論
關(guān)鍵字：碳化硅二極管 MOSFET

Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應(yīng)用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標(biāo)
關(guān)鍵字： MOSFET 汽車

更高效的半導(dǎo)體材料——碳化硅

在功率電子學(xué)中，半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì)高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報(bào)”中解釋了阻止硅和碳結(jié)合使用的原因。能源消耗在全球范圍內(nèi)不斷增長(zhǎng)，風(fēng)能和太陽(yáng)能等可持續(xù)能源供應(yīng)變得越來越重要。然而，電力通常遠(yuǎn)離消費(fèi)者產(chǎn)生。因此，高效的配電和運(yùn)輸系統(tǒng)與將產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換成交流電的變電站和電力轉(zhuǎn)換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現(xiàn)代電力電子設(shè)備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體材料制成的晶體管現(xiàn)在主要基于硅技術(shù)。然而，在硅上使
關(guān)鍵字：碳化硅

科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
關(guān)鍵字：科銳德爾?？萍?/a> SiC

安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力

1999年從摩托羅拉半導(dǎo)體部剝離時(shí)，安森美只是一家年?duì)I業(yè)額12億美元的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體供應(yīng)商，2018年已達(dá)到年?duì)I收近60億美元，轉(zhuǎn)型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案供應(yīng)商。過去的20年，是半導(dǎo)體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年，也是并購(gòu)重組頻繁的20年，很多中小公司在并購(gòu)浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場(chǎng)。安森美的成功經(jīng)驗(yàn)是什么？如今的特色和對(duì)未來的觀察是什么？近日，安森美半導(dǎo)體戰(zhàn)略、營(yíng)銷及方案工程高級(jí)副總裁David Somo和中國(guó)區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
關(guān)鍵字：汽車傳感器碳化硅云電源

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC

華為出手第三代半導(dǎo)體材料性能實(shí)現(xiàn)千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達(dá)10%。山東天岳是我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
關(guān)鍵字：華為半導(dǎo)體碳化硅

針對(duì)高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

中國(guó)，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實(shí)現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個(gè)用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)?，包括原邊或?/li>
關(guān)鍵字：電源意法半導(dǎo)體擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
關(guān)鍵字： SiC MOSFET