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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

SiC市場趨勢及應用動向

  • 介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
  • 關鍵字： SiC  市場  應用  汽車  201903  

國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  5G  

貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

  • 　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設備的功率密度。　　貿(mào)澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  STMicroelectronics  MOSFET  

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器，提高逆變器級工作效率

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED，為門控設備提供所需驅(qū)動電壓。VOD3120電壓和電流使
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

ST將收購Norstel 55％股權(quán)，擴大SiC器件供應鏈

  • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協(xié)議，收購后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
  • 關鍵字： ST  Norstel  SiC  

碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產(chǎn)業(yè)中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的關鍵指標 (FOM)?！　ishay
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

  • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

Vishay業(yè)界領先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

  • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
  • 關鍵字： Vishay  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！　嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
  • 關鍵字： 半導體  SiC  GaN  

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產(chǎn)品技術研發(fā)

  • 　　11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合試驗室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)?！　　　〗陙恚許iC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
  • 關鍵字： 北汽新能源  羅姆半導體  SiC  

意法半導體高效超結(jié)MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓撲

  • 　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計?！　♂槍涢_關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送猓夥ò雽w最先進的M6超結(jié)技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈。　　作為全球性的電力電子行業(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行。基本半導體亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產(chǎn)品應用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術促進產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?！?/li>
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術研討會

  • 　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。　　出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發(fā)團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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