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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

  • 　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應(yīng)求，為填補供應(yīng)鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導(dǎo)體驗證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
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羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會”

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上，羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業(yè)設(shè)備解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流?！　×_姆展臺掠影(展位號：6.1H　A245)　　近年來，羅姆向工業(yè)市場不斷進(jìn)取，凝聚在消費電子設(shè)備和汽車相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù)，致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開發(fā)，并通過高品質(zhì)、穩(wěn)定供應(yīng)的安心生產(chǎn)體制，持續(xù)不斷為工業(yè)設(shè)備發(fā)展做貢獻(xiàn)。
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

  • 　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力。　　功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時間，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
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安森美半導(dǎo)體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展

  • 　　電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力，用電機驅(qū)動車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道，2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個，與現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 安森美  IGBT  SiC  

如何更加快速地為電動汽車充電

  • 推出電動汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動車輛皆可與基于內(nèi)燃機的車輛媲美。
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應(yīng)用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

  • 　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計必須支持在負(fù)載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導(dǎo)體，另一個更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?！　‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET，混合動力  

羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會”

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟!　　一年一度的“ROHM技術(shù)研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動、分享經(jīng)驗的良好平臺。今年，根據(jù)各個城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
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開關(guān)電源設(shè)計：何時使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  BJT  MOSFET  

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  數(shù)據(jù)  電感器  連續(xù)電流  

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

  • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對您的學(xué)習(xí)有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源  

大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

  • 在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標(biāo)。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
  • 關(guān)鍵字： 大功率電  MOSFET  功率耗散  

功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計應(yīng)用簡析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動電路  電源  

干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計分享

  • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計不僅省時省力，還具有
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動電路  設(shè)計  

同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  同步整流  DC-DC  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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