碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計人員通過增大開關(guān)頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
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完全自保護MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！ ?nbsp;&n
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SiC耐壓更高，適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。 相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點。 現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！ |芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?！ |芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅(qū)動電路，進行簡要分析?！ ∮懈綦x變壓器的互補驅(qū)動電路作為一種比較常見的驅(qū)動電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！ ?nbsp;
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
- 功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時的重點方向。如果設(shè)計得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設(shè)計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！ ∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設(shè)計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動能力強，為防
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電源的六大酷領(lǐng)域及動向
- 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車 電池 USB Type-C 無線充電 能量收集 數(shù)據(jù)中心 201604
Diodes 40V車用MOSFET適用于電機控制應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應(yīng)用，包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)?！ MTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求，
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ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
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【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料?！ ≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設(shè)計人員，你還會有一定的預(yù)算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
- 關(guān)鍵字： MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)
- 最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設(shè)計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
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