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重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢(shì)所趨

  • 　　英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時(shí)程，也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑：摩爾定律是否已達(dá)極限?不過(guò)，英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開(kāi)始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。 　　摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來(lái)愈高。目前包括英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤(rùn)式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎？

  • 　　又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了?？v觀整個(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對(duì)EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。 　　到了下一代的10nm節(jié)點(diǎn)，降低每電晶體成本將會(huì)變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看，當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 　　目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長(zhǎng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話(huà)，7nm制程將會(huì)成為一個(gè)昂貴的半節(jié)點(diǎn)。 　　不過(guò)，研究人
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臺(tái)積電采購(gòu)EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

  • 按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度，幾乎可以預(yù)見(jiàn)的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實(shí)際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn)，在商業(yè)上來(lái)看也不能算是理性的選擇。
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2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

  • 　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來(lái)采用EUV光刻技術(shù)，在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步，或者說(shuō)臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威？

  • 　　核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o(wú)法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測(cè)系統(tǒng)

  • 　　KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專(zhuān)為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評(píng)估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測(cè)影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無(wú)圖案區(qū)的晶體增長(zhǎng)或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿(mǎn)足檢驗(yàn)
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EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí)，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來(lái)進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

  • 　　據(jù)美國(guó)科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。 　　在幾十年來(lái)，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強(qiáng)大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)生產(chǎn)效率

  • 　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計(jì)2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。 　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤(rùn)式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長(zhǎng)，成本會(huì)大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

  • 　　極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國(guó)偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對(duì)相關(guān)設(shè)備的開(kāi)發(fā)計(jì)劃仍抱持觀望態(tài)度。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國(guó)偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

  • 　　5月7日消息，全球代工市場(chǎng)規(guī)模繼2011年增長(zhǎng)7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長(zhǎng)16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計(jì)2013年還將有14%的增長(zhǎng)。 　　臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開(kāi)始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺(tái)積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開(kāi)始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺(tái)積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺(tái)積電。 　　
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛(ài)爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開(kāi)始，Intel又會(huì)陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。 　　Rattner指出，Intel
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臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺(tái)積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺(tái)積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺(tái)積電今年預(yù)估會(huì)再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì)存在這些問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字： 光刻  EUV  
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