3d-tof 文章進(jìn)入3d-tof技術(shù)社區(qū)

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
關(guān)鍵字： SK海力士 3D NAND

5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
關(guān)鍵字：聯(lián)電 3D IC

TDK的下一代超聲波時(shí)間飛行傳感器將拓展物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器人應(yīng)用的新大眾市場(chǎng)

●? ?The InvenSense SmartSonicTM?ICU-10201 高性能超聲波 ToF 傳感器搭載強(qiáng)大的嵌入式處理器并擴(kuò)展了存儲(chǔ)空間，能在芯片上實(shí)現(xiàn)完整的應(yīng)用算法●? ?非常適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和機(jī)器人應(yīng)用，MEMS 傳感器可滿足避障、材質(zhì)識(shí)別和液位測(cè)量應(yīng)用的高精度測(cè)量要求●? ?ICU-10201現(xiàn)已全面上市，可在全球多家代理商訂購(gòu)TDK株式會(huì)社隆重宣布其具有片上處理能力的 InvenSense?&n
關(guān)鍵字： TDK 時(shí)間飛行傳感器 ToF 機(jī)器人應(yīng)用

如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
關(guān)鍵字： 3D-IC

Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
關(guān)鍵字： Zivid 3D 機(jī)器人

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
關(guān)鍵字： 3D DRAM

3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢

ST多區(qū)ToF：厲害的VL53L5，以及更厲害的L7、L8

VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技術(shù)的多區(qū)飛行時(shí)間（ToF）傳感器。所有ST多區(qū)飛行時(shí)間傳感器有以下共同特點(diǎn)：? 都使用直方圖，并且擁有4X4或8X8個(gè)區(qū)域。? 具備自主模式，無(wú)需與芯片進(jìn)行交互。一旦設(shè)置了開(kāi)始及中斷時(shí)間，它會(huì)在觸發(fā)事件出現(xiàn)時(shí)自動(dòng)中斷。? 通過(guò)I2C接口，傳輸速率可達(dá)1兆赫。對(duì)于那些產(chǎn)生數(shù)據(jù)量巨大的應(yīng)用就非常方便。? 具備運(yùn)動(dòng)指示器，能夠提醒您是否有動(dòng)作發(fā)生。? 具有相同的軟件驅(qū)動(dòng)程序，在STM3
關(guān)鍵字： ToF ST 傳感器

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)

為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
關(guān)鍵字： 3D-IC HBM 封裝

飛行時(shí)間傳感器：技術(shù)原理與多元應(yīng)用

如果你對(duì)飛行時(shí)間不了解，別擔(dān)心，你來(lái)對(duì)地方了。飛行時(shí)間一詞幾乎就是字面意思，只不過(guò)飛行的對(duì)象是波長(zhǎng)為940納米，肉眼完全不可見(jiàn)的“光子”。我們發(fā)出一束激光；光子撞擊某個(gè)物體并反彈回來(lái)。當(dāng)光子反彈回來(lái)時(shí)，我們停止計(jì)時(shí)，獲得光飛行時(shí)長(zhǎng)，借此確定物體與我們之間的距離（以毫米為單位）。這項(xiàng)技術(shù)被稱為光飛行時(shí)間距離測(cè)量（flight sense），該技術(shù)功耗相對(duì)較低，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于相機(jī)。飛行時(shí)間的概念很簡(jiǎn)單，您只需要使用一個(gè)小模塊便可輕松將這個(gè)“簡(jiǎn)單”的技術(shù)應(yīng)用在您的方案中。而這個(gè)模塊本身并不簡(jiǎn)單，不僅僅是一片封裝在塑料
關(guān)鍵字：飛行時(shí)間傳感器 ToF

300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
關(guān)鍵字： 3D NAND

TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤位置檢測(cè)、油門和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器

使用一種高度集成的 ToF 位置傳感器進(jìn)行精確的距離測(cè)量

引言在許多應(yīng)用中，無(wú)法通過(guò)實(shí)際接觸來(lái)測(cè)量與目標(biāo)之間的距離。典型示例包括測(cè)量物流中心的傳送帶上是否存在物體，確保與運(yùn)動(dòng)中的機(jī)械臂保持安全距離，確定倉(cāng)庫(kù) 中人員或機(jī)器人相對(duì)于資產(chǎn)的位置。飛行時(shí)間 (ToF) 位置傳感器有助于利用光線到達(dá)物體及返回所需的時(shí)間來(lái) 測(cè)量距離。OPT3101 是高速、高分辨率 AFE 的一個(gè) 典型示例，適用于完全集成且基于 ToF 的連續(xù)波位置傳感器。該傳感器可在 15m 不模糊的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 16 位距離輸出。有關(guān) OPT3101 的更多信息，請(qǐng)參
關(guān)鍵字： ToF 位置傳感器測(cè)量