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意法半導(dǎo)體推出新一代FlightSense? 多區(qū)ToF 傳感器, 適用于手勢識別、入侵報(bào)警和 PC 前用戶存在檢測

· 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的用戶存在檢測、手勢識別、“肩窺”防范非視覺總包方案，讓人機(jī)交互更順暢、信息更安全，更節(jié)能省電· 現(xiàn)已用于部分聯(lián)想 PC機(jī)中[1]服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了其新一代 FlightSense? 飛行時(shí)間 (ToF) 多區(qū)傳感器。該產(chǎn)品連同一
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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ST與Metalenz合作提供光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)

Metalenz與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）宣布推出VL53L8直接飛行時(shí)間（Direct Time-of-Flight，dToF）傳感器。 Metalenz與意法半導(dǎo)體為消費(fèi)性電子設(shè)備提供世界首創(chuàng)光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)Metalenz的超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的技術(shù)研發(fā)成果，可以取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。嵌入一顆超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡后，來自3D傳感器模塊大廠意法半導(dǎo)體的飛行時(shí)間（ToF）測距模塊可以提供更多功能。Metalenz光學(xué)技術(shù)導(dǎo)入這些模塊，可以為眾多消費(fèi)性
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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提供應(yīng)用關(guān)鍵價(jià)值的3D ToF LIDAR技術(shù)

3D飛行時(shí)間（3D ToF）是一種無掃描儀LIDAR（光檢測和測距，激光雷達(dá)）技術(shù)，通過發(fā)射納秒級的高功率光脈沖來捕獲相關(guān)場景的深度信息（通常是短距離內(nèi)），已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)4.0、汽車、醫(yī)療健康、安防和監(jiān)控、機(jī)器人等領(lǐng)域。本文將為您介紹3D ToF技術(shù)的發(fā)展與ADI推出的相關(guān)解決方案。3D ToF技術(shù)可精準(zhǔn)進(jìn)行距離測量3D ToF技術(shù)是采用ToF攝像頭通過使用調(diào)制光源（例如激光）主動(dòng)照亮物體，然后用對激光波長敏感的傳感器捕捉反射光，以此測量距離。傳感器測量從攝像頭發(fā)射光，到攝像頭接收到發(fā)射光之
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意法半導(dǎo)體第二代多區(qū)飛行時(shí)間傳感器性能升級

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出最新的FlightSense飛行時(shí)間（ToF）測距傳感器，適用于智能型手機(jī)鏡頭管理和擴(kuò)增實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)裝置。透過大幅提升關(guān)鍵組件的性能，意法半導(dǎo)體最新ToF模塊的測距性能相較上一代產(chǎn)品提升一倍，室內(nèi)全區(qū)模式測距長達(dá)4公尺，在相同條件下，功耗比上一代產(chǎn)品降低了一半。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業(yè)群之影像子事業(yè)部總經(jīng)理Eric Aussedat表示，ST的ToF技術(shù)在商用領(lǐng)域獲得了傲人的
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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意法半導(dǎo)體推出二代多區(qū)直接ToF傳感器

· VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機(jī)以及智能揚(yáng)聲器、人機(jī)界面、消費(fèi)類激光雷達(dá)和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術(shù)和性能更強(qiáng)、能效更高的激光源和片上處理改進(jìn)技術(shù) 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時(shí)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健ｎA(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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意法半導(dǎo)體推全套型STGesture手勢識別技術(shù)

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST），推出能在設(shè)計(jì)簡單、注重成本的消費(fèi)性與工業(yè)應(yīng)用中，加入非接觸式手勢控制的解決方案。該解決方案包括意法半導(dǎo)體的VL53L5CX FlightSense飛行時(shí)間（Time-of-Flight，ToF）多區(qū)測距傳感器和免費(fèi)的工程開發(fā)用軟件。采用ToF傳感器的姿態(tài)識別是一項(xiàng)突破性的人機(jī)互動(dòng)技術(shù)，讓使用者能夠與各種設(shè)備進(jìn)行復(fù)雜的互動(dòng)。手勢控制人機(jī)互動(dòng)最初是高階汽車的一項(xiàng)功能配置，現(xiàn)在則可以改善并加強(qiáng)多種設(shè)備的人機(jī)互
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