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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

  • 變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。
  • 關鍵字： 變頻器  逆變器  功率器件  

常用的功率半導體器件盤點匯總

  • 常用的功率半導體器件盤點匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。
  • 關鍵字： 功率器件  

開關電源技術發(fā)展歷程的十個關注點

  • 開關電源技術發(fā)展歷程的十個關注點-　上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
  • 關鍵字： 開關電源  功率器件  電磁兼容性  

功率器件交貨期持續(xù)拉長，供應短缺局面何時結束？

  • 全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
  • 關鍵字： 功率器件  

制造能耗變革從新一代半導體開始

  • 　　接近62%的能源被白白浪費 　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 　　 　　圖1：整體的能源轉換效率約在38
  • 關鍵字： SiC  GaN  

GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  • 　　未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。 　　未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
  • 關鍵字： GaN  5G  

5G推動RF PA技術改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
  • 關鍵字： 5G  GaN  

三菱電機強勢出擊PCIM亞洲2017展

  • 　　三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術、產(chǎn)品和優(yōu)勢?！　∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
  • 關鍵字： 三菱電機  功率器件  

2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

  • 　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 　　MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。 　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
  • 關鍵字： MOCVD  GaN  

東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動冰箱的壓縮機電機，這是現(xiàn)有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
  • 關鍵字： 東芝  功率器件  

IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
  • 關鍵字： IGBT  功率器件  

趁著第三代半導體的東風，紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術的研究目的、意義和社會影響力。
  • 關鍵字： 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

GaN組件和AMO技術實現(xiàn)更高效率與寬帶

  • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關鍵字： GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關鍵字： GaN  SiC  第三代半導體材料  

中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊

  • 　　功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。 　　在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費產(chǎn)品及電動車的涌現(xiàn)，功率器件需求預計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導體器件包括功率器件主要的設計與制造來源。 　　目前，中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復雜精細的功率器
  • 關鍵字： 功率器件  集成電路  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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