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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應用成長可期

  • 　　隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 　　   　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
  • 關鍵字： Dialog  GaN  

以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  • 　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
  • 關鍵字： GaN  5G  

GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  • 　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
  • 關鍵字： GaN  SiC  

諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)

  • 　　當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
  • 關鍵字： GaN  LED  

諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)

  • 　　當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
  • 關鍵字： GaN  藍光LED  

三菱電機展臺大受歡迎，攜八款功率器件實力亮相

  • 　　三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)，受到廣大參觀者的一致好評，參觀者們紛紛在三菱電機展臺拍照留念，三菱電機再次向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 　　今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 　　  
  • 關鍵字： 三菱電機  功率器件  

我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時

  • 當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務

  • 　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產(chǎn)GaN晶體管。 　　臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 　　其中，耐壓650V的常關
  • 關鍵字： 臺積電  GaN  

三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場

  • 　　三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率 半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 　　今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 　　變頻家電市場 　　在變頻家電應用方面，三菱電機這次在去
  • 關鍵字： 三菱  功率器件  

Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

  • 　　移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統(tǒng)及航空電子應用的功率性能。 　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
  • 關鍵字： Qorvo  GaN   

基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC

  • 　　氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
  • 關鍵字： GaN  PFC  

TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
  • 關鍵字： TI  GaN   

安森美半導體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

  • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
  • 關鍵字： 安森美  GaN  

AOS：功率器件市場迎來歷史性變革

  • 　　萬國半導體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商，提供廣泛的功率半導體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產(chǎn)品系列。“以新能源技術的逐漸實用化為主軸，功率變換市場正經(jīng)歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術是關鍵的一環(huán)?！?AOS?MOSFET全球市場資深總監(jiān)馮雷指出?！　∧?016年的功率器件市場發(fā)展具體呈現(xiàn)出哪些特點呢?馮雷表示
  • 關鍵字： AOS  功率器件  

完全自保護MOSFET功率器件分析

  • 　　為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！　D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結(jié)構。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！　?nbsp;&n
  • 關鍵字： MOSFET  功率器件  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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