600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

　　充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌?chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】功率器件在Boost電路中的應(yīng)用

　　風(fēng)能、太陽(yáng)能等新能源均需經(jīng)過電力電子變換才能接入電網(wǎng)，隨著新能源發(fā)電量的逐年攀升，市場(chǎng)對(duì)電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進(jìn)。作為傳統(tǒng)電力電子變換的開關(guān)器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導(dǎo)體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認(rèn)為是新一代的功率器件?！　?duì)于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關(guān)器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結(jié)構(gòu)，以此為基礎(chǔ)可擴(kuò)展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
關(guān)鍵字：功率器件 Boost

【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

　　MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用　　用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(zhǎng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過高，但是MACOM公司
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無畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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日本設(shè)立共同研究室加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程

　　據(jù)報(bào)道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎(jiǎng)的藍(lán)色發(fā)光二級(jí)管(LED)的材料。該研究室力爭(zhēng)把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。　　天野是小出在名古屋大學(xué)念書時(shí)低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))門下一同進(jìn)行
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松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高

　　松下被動(dòng)元件展區(qū)，松下位于德國(guó)的器件解決方案部門被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！　K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場(chǎng)合?！　∷上录瘓F(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

如何應(yīng)對(duì)GaN測(cè)量挑戰(zhàn)

功耗是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)以及測(cè)試中最熱門也是競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域之一。這是因?yàn)槿藗儗?duì)高能效有強(qiáng)烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
關(guān)鍵字： GaN 測(cè)試

新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

　　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林，廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生，市委副書記、市長(zhǎng)梁維東，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見證簽約儀式。　　副市長(zhǎng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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幾種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖及設(shè)計(jì)思路

　　本文為您詳細(xì)介紹直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需要注意的事項(xiàng)，低壓驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)易柵極驅(qū)動(dòng)、邊沿延時(shí)驅(qū)動(dòng)電路圖解及其設(shè)計(jì)思路。　　　　以上是直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖，下面為您詳細(xì)介紹直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需要注意的事項(xiàng)，低壓驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)易柵極驅(qū)動(dòng)、邊沿延時(shí)驅(qū)動(dòng)電路圖解及其設(shè)計(jì)思路。　　一、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中，主要考慮一下幾點(diǎn)：　　1. 功能：電機(jī)是單向還是雙向轉(zhuǎn)動(dòng)?需不需要調(diào)速?對(duì)于單向的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，只要用一個(gè)大功率三極管或場(chǎng)效應(yīng)管或繼電器直接帶動(dòng)電機(jī)
關(guān)鍵字： PWM 功率器件