- IGBT
是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應
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半導體 IGBT
- IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。基于技術和功能上的優(yōu)勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應用發(fā)展的必然
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功率器件 IGBT
- 意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。
意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20k
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意法半導體 IGBT H系列
- IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術，因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。
IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求，這使得它的驅
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LED 驅動 IGBT
- 6月20日上午，被業(yè)界認為現代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產業(yè)化基地建成并即將投產。這是國內首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產線，首期將實現年產12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產100萬只IGBT模塊，真正實現IGBT的國產化。它的投產，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。
國家多部委關注IGBT研發(fā)
IGBT，是一種實現電能轉換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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IGBT 芯片
- 我國南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產線建成，真正實現國產化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷......
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IGBT 芯片
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。
與微電子技術中芯片技術一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。
IGBT芯
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IGBT 電力電子
- (飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。)
(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經200多道工藝、由數6萬個“細胞”完成。)
(中國南車株洲所功率半導體器件生產區(qū)域。)
(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。)
紅網長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發(fā)達國家玩轉的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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IGBT 芯片
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。
IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機
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IGBT Mentor EV/HEV 201406
- 東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標 EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車應用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
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IGBT Mentor MicReD
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)。 功率循環(huán)和熱量導致與熱相關的器件老化降級，容易導致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設備對電力電子器件的可靠性進行評估。 傳統(tǒng)的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
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MicReD IGBT 功率循環(huán)測試
- 中國已成為全球最大的汽車生產國和消費市場，2013年中國整體汽車銷量增長14%至2,200萬輛，其中乘用車銷售約1,800萬輛(份額80%)，商用車約400萬輛(份額20%);2014年整體銷量可達2,300萬輛，乘用車銷量較2012年增長16%。汽車大趨勢正在推動半導體成分的升高：IHS公司預測，由于汽車安全與導航等系統(tǒng)的不斷采用，中國汽車半導體市場將在2014年增長11%，達到46億美元。而在未來三年會延續(xù)增長勢頭，到2017年，中國汽車芯片市場將達到62億美元。
面對巨大的需求，半導體廠商
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安森美 汽車半導體 IGBT
- 高鐵在技術上的突破確實令人欣慰，但這給老百姓帶來的實惠非常有限，其在經濟民生方面的意義更像是國家層面的形象工程。
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IGBT 芯片
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