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碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機型?！　OHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

  • 　　2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源?！　∵@標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補器件，以及
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時，提高設計靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機驅(qū)動以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！　〈舜伍_發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術，實現(xiàn)了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
  • 關鍵字： ROHM  MOSFET   

Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

  • 　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供更高的功率密度設計?！?/li>
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET   

Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術亮相APEC 2019

  • 　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內(nèi)領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

滿足新能源汽車應用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

  • 　　世紀金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！　≈饕獞谩　高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
  • 關鍵字： 新能源汽車  MOSFET  

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
  • 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源?！　IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
  • 關鍵字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  5G  

貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

  • 　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設備的功率密度。　　貿(mào)澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  STMicroelectronics  MOSFET  

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器，提高逆變器級工作效率

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED，為門控設備提供所需驅(qū)動電壓。VOD3120電壓和電流使
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產(chǎn)業(yè)中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的關鍵指標 (FOM)?！　ishay
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

  • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

Vishay業(yè)界領先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

  • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
  • 關鍵字： Vishay  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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