碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
最全!20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件,工溫最高175℃
- 中國半導體功率器件十強企業(yè):揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續(xù)數(shù)年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè):長晶科技(JSCJ)· 主要產(chǎn)品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
- 關(guān)鍵字: MOSFET 楊杰科技 長晶科技
同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型,新產(chǎn)品非常適用于電動汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機驅(qū)動。近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題,在這種背景下,電動汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升,因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
- 關(guān)鍵字: MOSFET
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
- 在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求,英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù),廣泛適用于大功率應(yīng)用,包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電
- 關(guān)鍵字: MOSFET
東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外,開關(guān)
- 關(guān)鍵字: MOSFET
恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布與日立能源合作,加快碳化硅(SiC)電源半導體模塊在電動交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案,更高效可靠且功能安全,該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件,可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程,提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
- 關(guān)鍵字: MOSFET
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
- 關(guān)鍵字: SiC GaN ROHM
如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET?
- DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復雜。圖1:降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時擁有一個高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進行開關(guān)操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 MOSFET
Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
- 基礎(chǔ)半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真,并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源,工程師此
- 關(guān)鍵字: Nexperia 電熱模型 MOSFET
羅姆SiC評估板測評:快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅(qū)動空載輸出12V,gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應(yīng)設(shè)備
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試
- 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473