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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
ST先進(jìn)SiC牽引電機(jī)逆變器解決方案
- 意法半導(dǎo)體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,多年前就開(kāi)始布局新能源汽車(chē)領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機(jī)逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全I(xiàn)S026262標(biāo)準(zhǔn)流程開(kāi)發(fā),滿(mǎn)足ASIL D等級(jí)?;贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶(hù)前期方案評(píng)估和后續(xù)開(kāi)發(fā)提供了便利,大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅 牽引逆變器
ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準(zhǔn)汽車(chē)與工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用
- 電源與能源管理對(duì)人類(lèi)社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對(duì)此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù),圖中是對(duì)全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,
- 關(guān)鍵字: ST 碳化硅 汽車(chē) 工業(yè) SiC
ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對(duì)人類(lèi)社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對(duì)此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
- 關(guān)鍵字: ST GaN SiC
躋身第三代半導(dǎo)體市場(chǎng) ST助力全球碳中和
- 隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來(lái)越成熟和穩(wěn)定,應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車(chē)上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者,意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)作用,推出了有關(guān)氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產(chǎn)品,有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開(kāi)媒體交流會(huì),介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下,如何通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列,為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)?! ?jù)調(diào)查,工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%,就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 ST 碳化硅 氮化鎵 202203
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
- 離線(xiàn)反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路(有時(shí)稱(chēng)為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位,但在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期必須耗散鉗位能量,這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開(kāi)關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù),使得能效得以提高,但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來(lái)限制(例如,無(wú)法工作于CCM工作模式)。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來(lái)的設(shè)計(jì)限制,可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù),即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
- 關(guān)鍵字: MOSFET
擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域,PI推出首款汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC
- 2022年2月15日,Power Integrations召開(kāi)新品發(fā)布會(huì),推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級(jí)高壓開(kāi)關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC,可提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē),以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
- 關(guān)鍵字: PI MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) ACDC 開(kāi)關(guān)電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此,英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱(chēng)SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝,尺寸為3.3 x 3.3 mm2,支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo),并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,涵蓋電機(jī)驅(qū)
- 關(guān)鍵字: MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級(jí)高壓開(kāi)關(guān)IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大,新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量,還可大幅提高電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的效率
- 關(guān)鍵字: InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) 牽引逆變器
三安集成:碳化硅車(chē)規(guī)產(chǎn)品“上車(chē)”,湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付
- 新年第一個(gè)月,中國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái) -- 湖南三安“喜提”多個(gè)好消息。長(zhǎng)沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證,車(chē)規(guī)級(jí)二極管接連獲得汽車(chē)行業(yè)客戶(hù)訂單。新能源汽車(chē)迎來(lái)“碳化硅元年”,湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車(chē)道在化石燃料資源和環(huán)境問(wèn)題面前,各國(guó)都發(fā)布了“雙碳”計(jì)劃。歐盟各國(guó)決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車(chē),拜登政府也計(jì)劃拿出超過(guò)600億美元用于推動(dòng)家用車(chē)和公交車(chē)的電動(dòng)化,日本則是通過(guò)提高行業(yè)燃油經(jīng)濟(jì)性標(biāo)準(zhǔn)以促進(jìn)新能源車(chē)普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率,在充電樁、車(chē)載充電
- 關(guān)鍵字: 三安集成 碳化硅 車(chē)規(guī)產(chǎn)品
環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng),近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶(hù)青睞,預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出,2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛,與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%,成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關(guān)鍵字: 環(huán)旭電子 電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng),近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶(hù)青睞,預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出,2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛,與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%,成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關(guān)鍵字: 環(huán)旭電子 電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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