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臺(tái)積電3nm工藝面臨挑戰(zhàn)：當(dāng)前良品率只有55%

  • 在7nm、5nm等先進(jìn)制程工藝上率先量產(chǎn)的臺(tái)積電，也被認(rèn)為有更高的良品率，但在量產(chǎn)時(shí)間晚于三星近半年的3nm制程工藝上，臺(tái)積電可能遇到了良品率方面的挑戰(zhàn)，進(jìn)而導(dǎo)致他們這一制程工藝的產(chǎn)能提升受到了影響。
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臺(tái)積電預(yù)計(jì) 3nm 工藝 Q3 開始帶來可觀營收，目前產(chǎn)能無法滿足需求

  • 4 月 24 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電仍采用鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝，在去年的 12 月 29 日正式開始商業(yè)化生產(chǎn)，雖然較三星電子晚了近半年，但仍被業(yè)界看好。對于 3nm 制程工藝，臺(tái)積電管理層在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，也有重點(diǎn)談及。在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電 CEO 魏哲家表示，他們的 3nm 制程工藝以可觀的良品率量產(chǎn)，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)應(yīng)用需求的推動(dòng)下，客戶對 3nm 制程工藝的需求超過了他們的產(chǎn)能，他們預(yù)計(jì)今年的產(chǎn)能將得到充分利用。魏哲家在會(huì)上還透露，他們的 3n
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業(yè)界首款3nm數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施芯片發(fā)布

  • 近日，美國IC設(shè)計(jì)公司Marvell正式發(fā)布了基于臺(tái)積電3納米打造的資料中心芯片，而這也是業(yè)界首款3nm數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施芯片。據(jù)臺(tái)積電此前介紹，相較于5nm制程，3nm制程的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。臺(tái)積電3納米芯片可用于新產(chǎn)品設(shè)計(jì)，包括基礎(chǔ)IP構(gòu)建塊，112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY/CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互連等。照M
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臺(tái)積電 3nm 制程工藝月產(chǎn)能逐步提升，下月有望達(dá)到 4.5 萬片晶圓

  • 2 月 24 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，在三星電子采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝量產(chǎn)之后，臺(tái)積電仍采用鰭式場效應(yīng)晶體管的 3nm 制程工藝，也在去年的 12 月 29 日正式開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看，同臺(tái)積電此前的工藝一樣，去年 12 月份量產(chǎn)的 3nm 制程工藝，產(chǎn)能也在逐步提升，月產(chǎn)能在下月將達(dá)到 4.5 萬片晶圓。報(bào)道稱，蘋果預(yù)訂臺(tái)積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，提及臺(tái)積電這一工藝的月產(chǎn)能量時(shí)表示，將在下月達(dá)到 4.5 萬片晶圓。不過，即便臺(tái)積電 3nm 制程工藝的產(chǎn)能
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英特爾推遲向臺(tái)積電訂購3nm芯片訂單

  • 據(jù)DigiTimes報(bào)道，英特爾與臺(tái)積電在3nm制造方面的合作將推遲到2024年第四季度。近年來，英特爾的制造工藝和PC平臺(tái)藍(lán)圖頻繁修改，產(chǎn)品上市延遲嚴(yán)重打亂了供應(yīng)鏈的產(chǎn)銷計(jì)劃。如果上述報(bào)道準(zhǔn)確，首款A(yù)rrow Lake處理器將在2024年第四季度末和2025年第一季度逐漸出貨。此前消息稱英特爾Arrow Lake處理器采用混合小芯片構(gòu)架，在GPU的芯片塊部分據(jù)稱是采用臺(tái)積電的3nm工藝。按計(jì)劃在Arrow Lake之前，英特爾將在今年晚些時(shí)候推出Raptor Lake-S桌面處理器，為發(fā)燒友和工作站市場
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蘋果可能將是臺(tái)積電3nm工藝唯一主要客戶，高通聯(lián)發(fā)科尚未決定

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道，在三星電子的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后，臺(tái)積電的3nm制程工藝也已在去年12月29日正式開始商業(yè)化量產(chǎn)，為相關(guān)的客戶代工晶圓。雖然比三星3nm工藝量產(chǎn)晚了半年，但是在良率上一直被認(rèn)為遠(yuǎn)超三星。臺(tái)積電CEO劉德音還表示，相比于5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，這將是最先進(jìn)的工藝。有消息人士稱，臺(tái)積電3nm的主要客戶今年可能只有蘋果一家，有望在蘋果M2 Pro芯片上首次應(yīng)用，后面的A17仿生芯片也會(huì)跟進(jìn)。在報(bào)道中，相關(guān)媒體也提到高通和聯(lián)發(fā)科這兩大智
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臺(tái)積電的3nm：高通不敢用了

  • 按照正常邏輯，高通下一代驍龍8 Gen3升級3nm將順利成章，但會(huì)不會(huì)繼續(xù)由口碑很好的臺(tái)積電代工，似乎還懸而未決。其中一個(gè)關(guān)鍵問題在于，臺(tái)積電3nm晶圓的報(bào)價(jià)是2萬美元/片，比5nm貴了20%。高通測算后發(fā)現(xiàn)，對于自己這意味著數(shù)百萬美元的成本增加。即便高通能接受，其下游客戶也就是手機(jī)廠商們很難吃得消。三星那邊雖然便宜，可還在良率提高一事上苦苦掙扎，能否盡早完成，有待觀察。
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iPhone 15 Pro首發(fā)！蘋果A17芯片要用3nm工藝

  • 今日消息，據(jù)MacRumors爆料， 蘋果在2023年發(fā)布的iPhone 15 Pro上使用了A17 Bionic，這顆芯片集于臺(tái)積電3nm工藝（N3）打造。爆料指出，臺(tái)積電3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，蘋果將會(huì)是臺(tái)積電3nm工藝最大的客戶， A17 Bionic以及蘋果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用臺(tái)積電3nm工藝。根據(jù)臺(tái)積電說法， 對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。 N3工藝的SRAM單元的面積為0.
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臺(tái)積電董事長劉德音：3nm 需求非常強(qiáng)勁，是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)

  • IT之家 12 月 29 日消息，臺(tái)積電今日上午在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，臺(tái)積電董事長劉德音表示，晶圓 18 廠是臺(tái)積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)，總投資金額將達(dá) 1.86 萬億新臺(tái)幣（約 4222.2 億元人民幣），預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 1.13 萬個(gè)直接高科技工作機(jī)會(huì)。另據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，劉德音稱 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當(dāng)，是世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，應(yīng)用
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無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世：功耗低至1毫安

  • 臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同， 存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核，相對于NPU、DSP
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臺(tái)積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺(tái)媒稱宣示深耕臺(tái)灣決心

  • 日前，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知，預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。業(yè)界認(rèn)為，由于臺(tái)積電過往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng)，此舉意義重大。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電擴(kuò)大美國投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺(tái)化”、掏空臺(tái)灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，罕見以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心，化解外界疑慮。報(bào)道指出，相較于對手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米
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代工價(jià)格高達(dá)14萬元 臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%

  • 臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說量產(chǎn)了，又說年底量產(chǎn)，不過這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對比N5同等性
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三星：3nm 代工市場 2026 年將達(dá) 242 億美元規(guī)模

  • 12 月 11 日消息，三星電子 Foundry 代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。他表示，到 2026 年，全球 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場將達(dá)到 242 億美元規(guī)模，較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司，隨著三星電子、臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn) EUV 設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計(jì) 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節(jié)點(diǎn)。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，截至今年年底，在晶圓代工市場中占據(jù)
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2023年一顆3nm芯片成本有多高？

  • ? ? ? ?眾所周知，臺(tái)積電，三星是全球芯片制造巨頭，也是目前唯二進(jìn)入到5nm及以下工藝時(shí)代的芯片制造商。并且在3nm制程工藝方面，二者也都有了明確布局。另外，按照臺(tái)積電的計(jì)劃，2025年還會(huì)量產(chǎn)2nm。納米芯片發(fā)展到這個(gè)程度，已經(jīng)接近物理芯片規(guī)則的極限了。但光刻機(jī)巨頭ASML正式表態(tài)，摩爾定律還可延續(xù)十年，并且將推進(jìn)到1nm工藝。?????? 且不說1nm、2nm工藝制程能夠?qū)崿F(xiàn)，目前3nm工藝是已經(jīng)切
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臺(tái)積電和三星的“3nm之爭”：誰率先降低代工價(jià)格，誰就會(huì)是贏家

  • 2022年已經(jīng)接近尾聲，3nm制程的競爭似乎也進(jìn)入到了白熱化階段，臺(tái)積電和三星誰先真正實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)，一直都是產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)。雖然需要用到3nm芯片的廠商少之又少，但這并不妨礙它是巨頭爭相追逐的對象，畢竟對于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，搶先掌握先進(jìn)工藝是占領(lǐng)市場最關(guān)鍵的部分。
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