3nm plus 文章 進(jìn)入3nm plus技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電3nm供不應(yīng)求引漲價(jià)潮!NVIDIA、AMD、蘋果等都要漲價(jià)
- 6月16日消息,據(jù)媒體報(bào)道,隨著臺(tái)積電3納米供不應(yīng)求,預(yù)期臺(tái)積電3納米訂單滿至2026年,NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價(jià)格。在AI服務(wù)器、HPC應(yīng)用與高階智能手機(jī)AI化驅(qū)動(dòng)下,蘋果、高通、英偉達(dá)、AMD等四大廠傳大舉包下臺(tái)積電3納米家族制程產(chǎn)能,并涌現(xiàn)客戶排隊(duì)潮,一路排到2026年。業(yè)界認(rèn)為,在客戶搶著預(yù)訂產(chǎn)能下,臺(tái)積3納米家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊,將成為近二年常態(tài)。由于供不應(yīng)求的局面,臺(tái)積電正在考慮將部分5納米設(shè)備轉(zhuǎn)換為支持3納米產(chǎn)能,預(yù)計(jì)月產(chǎn)能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺(tái)積電
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Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP
- 芯片設(shè)計(jì)公司Arm今日發(fā)布了針對(duì)旗艦智能手機(jī)的新一代CPU和GPU IP(設(shè)計(jì)方案):Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構(gòu),基于臺(tái)積電3nm制程工藝方案,針對(duì)終端設(shè)備在AI應(yīng)用上的性能進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。此外還將提供軟件工具,讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構(gòu)的芯片上運(yùn)行生成式AI聊天機(jī)器人和其他AI代碼。預(yù)計(jì)搭載最新內(nèi)核設(shè)計(jì)的手機(jī)將于2024年底上市。據(jù)官方介紹,新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產(chǎn)品中性能最強(qiáng)的一代,新CPU性能提升3
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爆料稱英偉達(dá)首款 AI PC 處理器將基于英特爾 3nm 工藝,RTX 50 同款 GPU 架構(gòu)
- IT之家 5 月 27 日消息,X 平臺(tái)消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料,表示英偉達(dá)有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應(yīng)另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時(shí)發(fā)表這一看法的:@XpeaGPU 認(rèn)為英偉達(dá)的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構(gòu) CPU 內(nèi)核、英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu) GPU,封裝下一代 LPDDR6 內(nèi)存,并基于臺(tái)積電 N3P 制程。
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臺(tái)積電 2024 年新建七座工廠,3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足
- IT之家 5 月 24 日消息,臺(tái)積電高管黃遠(yuǎn)國昨日在 2024 年臺(tái)積電技術(shù)論壇新竹場表示,該企業(yè)將在今年新建七座工廠,而今年的 3nm 產(chǎn)能將達(dá)到去年的四倍。具體而言,臺(tái)積電 2024 年將在全球建設(shè) 5 座晶圓廠和 2 座先進(jìn)封裝廠。臺(tái)積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程,目前都處于設(shè)備進(jìn)駐階段,預(yù)計(jì) 2025 年陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。IT之家早前報(bào)道中也提到,臺(tái)積電已確認(rèn)其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動(dòng)工,預(yù)估 202
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良率不及臺(tái)積電4成!三星2代3nm制程爭奪英偉達(dá)訂單失敗
- 全球半導(dǎo)體大廠韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程,不過據(jù)韓媒指出,三星3nm制程目前良率僅有20%,相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%,還不及臺(tái)積電良率的4成,使得三星在爭奪英偉達(dá)(NVIDIA)代工訂單受挫。外媒分析稱,三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力,才有可能與臺(tái)積電競爭,留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報(bào)導(dǎo)說,本月初EDA大廠新思科技曾宣布,三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統(tǒng)單芯片(SoC),基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計(jì)定案(tape out)。外界認(rèn)為,該芯
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臺(tái)積電 3nm 工藝步入正軌,2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點(diǎn)
- IT之家 5 月 17 日消息,臺(tái)積電近日舉辦技術(shù)研討會(huì),表示其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)已步入正軌,N3P 節(jié)點(diǎn)將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點(diǎn),進(jìn)一步提高能效和晶體管密度。臺(tái)積電表示 N3E 節(jié)點(diǎn)良率進(jìn)一步提高,已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關(guān)報(bào)道,臺(tái)積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗(yàn)證,其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝,N3P 在 IP 模塊、設(shè)計(jì)規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E,因此臺(tái)積電表示整個(gè)過渡過程非常順利。N
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瞄準(zhǔn)AI需求:臺(tái)積電在美第二座晶圓廠制程升級(jí)至2nm
- 最新消息,臺(tái)積電官網(wǎng)宣布,在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm,量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日,在臺(tái)積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂,最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對(duì)于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm,臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng),他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報(bào)道,三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題,原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷,導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題,未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃,還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是,Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu),升級(jí)之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗,Exynos 2500 芯片被打上問號(hào)
- 2 月 2 日消息,根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道,三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題,嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試,導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報(bào)道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu),同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片
- 據(jù)外媒,除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外,特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案(New Tape-Outs,NTOs)。報(bào)道稱,特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶也表明,其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解,臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn),與N3E工藝相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示,N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo),以及技術(shù)成熟度,都超過了英特爾的18A工藝。
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天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持
- 11月6日,聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺(tái)天璣9300處理器大膽創(chuàng)新,取消了低功耗核心簇,轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu),包含四顆Cortex-X4 超大核(最高頻率可達(dá)3.25GHz)以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題,但聯(lián)發(fā)科予以否認(rèn)并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略,反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺(tái)積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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消息稱高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm,預(yù)估臺(tái)積電 2024 年底月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬片
- IT之家 11 月 22 日消息,臺(tái)積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個(gè)客戶在用,那就是蘋果。根據(jù)中國臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》的消息,目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元(IT之家備注:當(dāng)前約 14.3 萬元人民幣) ,而良率為 55%,所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付,而且蘋果目前也預(yù)訂了臺(tái)積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升,臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達(dá)到 6~7 萬片,全年?duì)I收占比有望突破 5%,明年更有機(jī)會(huì)達(dá)到 1 成。據(jù)稱,在英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科
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蘋果發(fā)布M3系列芯片:3nm工藝 支持光追提升GPU性能
- 10月31日消息,蘋果舉行新品發(fā)布會(huì),線上發(fā)布M3系列芯片(M3、M3 Pro以及M3 Max),除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時(shí)公布,蘋果官方在發(fā)布會(huì)中也表示:這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程,意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息:M3配備8核CPU,10核GPU,24GB統(tǒng)一內(nèi)存,速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU,18核GPU,36GB統(tǒng)一內(nèi)存,速度最高比
- 關(guān)鍵字: 蘋果 M3 芯片 3nm 工藝 GPU
三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過60% 將影響明年訂單競爭
- 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn),其中三星電子是在6月30日開始量產(chǎn),臺(tái)積電則是在12月29日開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看,這兩大廠商3nm制程工藝的良品率,目前均還在60%以下,在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過60%,臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%,高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片,良品率達(dá)到了60%,但由于并不包括邏輯芯片的SRAM,不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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三星和臺(tái)積電均遭遇難題:在3nm工藝良品率上掙扎
- 目前三星和臺(tái)積電(TSMC)都已在3nm制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3nm工藝,后者則在同年12月宣布啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn),蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報(bào)道,雖然三星和臺(tái)積電都已量產(chǎn)了3nm工藝,不過兩者都遇到了良品率方面的問題,都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA(Gate-All-Around)晶體管技術(shù),而臺(tái)積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù),無論如何取舍和選
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm plus的理解,并與今后在此搜索3nm plus的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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