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才攻破7nm 三星宣布5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！

  • 這兩年，三星電子、臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭的事實(shí)。
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臺積電5nm將開工 中國芯何時突破重圍？

  • 隨著5nm工藝制造難度的增加，臺積電以及三星電子等巨頭研發(fā)所耗費(fèi)的時間勢必會增加不少，這也為中芯國際彎道超車提供了一定的機(jī)遇。
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臺積電5nm工廠本周破土：2020年開工3nm

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，臺積電將于本周在臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺積電一號代工廠的地位。 　　臺積電董事長張忠謀會出席奠基儀式，這也將是他在今年6月份退休之前，最后一次參加這類活動。 　　目前，臺積電正在積極準(zhǔn)備量產(chǎn)7nm，預(yù)計第二季度即可實(shí)現(xiàn)、第四季度火力全開。 　　更關(guān)鍵的是，臺積電已經(jīng)壟斷了7nm代工市場，收獲了100%的訂單，包括高通驍龍855、蘋果A12等重磅大單，徹底擊敗三星。 　　根據(jù)路線圖，臺積
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5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個技術(shù)老兵怎么說

  • 　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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?沒有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」？

  • 一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿，沒有EUV就無法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢？
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Imec：下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制

  • 　　根據(jù)比利時研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 　　Imec展示的研究計劃專注于實(shí)現(xiàn)高性能邏輯應(yīng)用的場效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實(shí)現(xiàn)協(xié)同最佳化，證實(shí)了在傳
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下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？

  • 　　Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點(diǎn)… 　　根據(jù)比利時研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 　　 　　Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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IBM和三星推出5nm工藝，為摩爾定律+1s

  • 　　上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應(yīng)對)，不過IBM和三星有不同意見。 　　雷鋒網(wǎng)消息，日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示，借助該項技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集
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IBM三星攜手研發(fā)5nm芯片：成本更低、性能更強(qiáng)

  • 　　據(jù)外媒報道，三星聯(lián)合 IBM 日前宣布了一項名為 nanosheets 的技術(shù)。得益于該技術(shù)，芯片制造商能夠?qū)⒏嗟木w管容納到更小的芯片組里，他們宣稱在 5nm 芯片可以實(shí)現(xiàn)在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管，而當(dāng)前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數(shù)量約為 30 億。 　　IBM 稱，同樣封裝面積晶體管數(shù)量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點(diǎn)是，5nm 加持下，現(xiàn)有設(shè)備如手機(jī)的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就攜手 Glo
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臺積電2019年上半年試產(chǎn)5nm制程

  • 　　晶圓代工龍頭臺積電年度股東常會將于6月8日登場，并于今(24)日上傳致股東報告書，當(dāng)中揭露先進(jìn)制程技術(shù)最新進(jìn)展，其中，7納米已在今年4月開始試產(chǎn)，預(yù)期良率改善將相當(dāng)快速，5納米則維持原先計劃，預(yù)計2019年上半年試產(chǎn)。 　　臺積電董事長張忠謀指出，去年間與主要客戶及硅智財供應(yīng)商攜手合作完成7納米技術(shù)硅智財設(shè)計，并開始進(jìn)行硅晶驗證，按照計劃在今年4月試產(chǎn)。 　　5納米部分，張忠謀表示，規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降低制程復(fù)雜度，制程技術(shù)預(yù)計2019年上半年試產(chǎn)。 　　10納米部分則是已在
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10nm芯片未至 臺積電5nm真能如期而來嗎？

  • 回顧臺媒的這些宣傳，只是讓大家對臺媒在宣傳中國臺灣的高科技企業(yè)的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)進(jìn)展時，要進(jìn)行思考，而不是完全相信，先進(jìn)技術(shù)研發(fā)需要大量人力物力，并非一朝一夕可以取得領(lǐng)先優(yōu)勢。
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臺積電5nm 估2019年完成技術(shù)驗證

  • 　　臺積電物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)開發(fā)處資深處長王耀東表示，未來臺積電成長動能來自于高階智慧型手機(jī)、高效運(yùn)算晶片、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子。而臺積電在10奈米技術(shù)開發(fā)如預(yù)期，今年底可以進(jìn)入量產(chǎn)，第一個采用10奈米產(chǎn)品已達(dá)到滿意良率，目前已經(jīng)有三個客戶產(chǎn)品完成設(shè)計定案，預(yù)期今年底前還有更多客戶會完成設(shè)計定案，該產(chǎn)品在明年第1季開始貢獻(xiàn)營收，且在2017年快速提升量產(chǎn)。 　　7奈米部分，臺積電該部分進(jìn)度優(yōu)異，7奈米在PPA及進(jìn)展時程均領(lǐng)先競爭對手，兩個應(yīng)用平臺高階智慧型手機(jī)及高效運(yùn)算晶片客戶都積極采用臺積電7奈米先進(jìn)制程技術(shù)，且
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【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線技術(shù)發(fā)展方向明確

  • 　　由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導(dǎo)體互連(布線)技術(shù)相關(guān)國際會議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國圣荷西舉辦。這是該會議時隔兩年再次回到美國，共有超過230人參加，展開了積極的討論。 　　IITC2016的論文數(shù)量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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英特爾第三款10nm CPU架構(gòu)曝光 5nm芯片2022年推出

  • 　　The Motley Fool談?wù)摿擞⑻貭栍媱澩瞥龅娜齻€10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)，而不是此前預(yù)期的兩種：“管理層向投資者表示，他們正試圖回到2年/低于10nm的節(jié)奏(此話或意味著2年內(nèi)從10nm轉(zhuǎn)到7nm)。不過根據(jù)剛從熟知英特爾計劃的消息人士那獲得的信息，該公司正致力于三款、而不是兩款10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)”。 　　此前有消息稱，Kaby Lake會停留在當(dāng)前的14nm節(jié)點(diǎn)，并打亂英特爾每2年一升級的制造技術(shù)步伐。該公司首款10nm處理器架構(gòu)被稱作“Cannonlake&rd
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10nm跨三世代 Intel 2020年進(jìn)5nm制程

  • 　　先前證實(shí)采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計畫將以10nm制程打造代 號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時預(yù)計在2020年時進(jìn)入5nm制程發(fā)展，但目前暫時 尚未透露預(yù)計推行處理器代號名稱。 　　根 據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術(shù)打造代號&ldqu
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5nm介紹

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