先前證實采用10nm制程技術的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關消息具體透露Intel計畫將以10nm制程打造代 號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時預計在2020年時進入5nm制程發(fā)展，但目前暫時 尚未透露預計推行處理器代號名稱。
根 據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術打造代號&ldqu
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Intel 5nm
芯片制造工藝的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和臺積電均已經可以以14nm/16nm工藝制造芯片，而據(jù)報道，臺積電正計劃最早在2020上半年推出5nm工藝制造技術。此外，7nm工藝的芯片也有望在2018年早些時候量產。如果他們的進度靠譜，就意味著2年間的芯片尺寸縮減會達到50%。
開發(fā)7nm以下芯片的制造過程是相當棘手的，但臺積電將答案寄托在了極紫外光刻(UAV)技術上。該公司稱，他們已經在這方面取得了“重大進展”，并預計延伸至5nm技術
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臺積電 5nm
臺積電與英特爾、三星的先進制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產出SRAM，而且預告5納米也要來了! 臺積電于3日舉辦第十五屆供應鏈管理論壇，臺積電總經理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調整已近尾聲，2016有望恢復成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進制程進度也透露更多的訊息?！ ≡?
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臺積電 5nm
就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態(tài)電路會議上，三星的舉動令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導體制程。當時業(yè)內人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動平臺的處理器。
實 際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導體制造方面已經非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產 14nm FinFET 工藝的移動設備芯片，而此前在工藝方面
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三星 固態(tài)電路 5nm
三十多年來，半導體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國際電子元件會議上同樣做了類似表示，現(xiàn)有半導體工藝將在5nm階段達到極限，而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。
Samueli在接受EETimes采訪時談到了現(xiàn)在的半導體工藝狀態(tài)，28nm及之后的工藝雖然會繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗，但在成本上已經不能繼續(xù)受益，未
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28nm 5nm
Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。
他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年。”
按照路線圖，22nm工藝之后，Intel將在2013年進入14nm時代，相應產品代號Broadwell。下一站是10nm，目前還在早期研究階段，預計2015年左右實現(xiàn)。
7nm、5nm現(xiàn)在都處于理論研究階段，具體如何去做還遠未定案
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Intel 5nm
三星電子公司執(zhí)行副總裁兼研發(fā)中心總經理Kinam Kim在近日IMEC技術論壇上表示，業(yè)界有人認為芯片特征尺寸微縮極限在5nm左右，而他并不同意這一說法，他相信存在眾多可能的途徑來克服硅微縮過程中所遇到的障礙，使硅產業(yè)越過納米量級。
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三星 硅 5nm
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