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臺(tái)積電計(jì)劃在2020年推出5nm芯片生產(chǎn)線

  • 　　芯片制造工藝的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和臺(tái)積電均已經(jīng)可以以14nm/16nm工藝制造芯片，而據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電正計(jì)劃最早在2020上半年推出5nm工藝制造技術(shù)。此外，7nm工藝的芯片也有望在2018年早些時(shí)候量產(chǎn)。如果他們的進(jìn)度靠譜，就意味著2年間的芯片尺寸縮減會(huì)達(dá)到50%。 　　   　　開發(fā)7nm以下芯片的制造過程是相當(dāng)棘手的，但臺(tái)積電將答案寄托在了極紫外光刻(UAV)技術(shù)上。該公司稱，他們已經(jīng)在這方面取得了“重大進(jìn)展”，并預(yù)計(jì)延伸至5nm技術(shù)
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臺(tái)積電7納米SRAM打贏三星 要準(zhǔn)備5nm制程

  • 　　臺(tái)積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競(jìng)賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競(jìng)逐場(chǎng)，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，看似搶先臺(tái)積電與三星，不過，臺(tái)積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來了!　　臺(tái)積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長(zhǎng)，臺(tái)積明年將比今年更好，與先前自家董事長(zhǎng)張忠謀的說法一致，劉德音對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息?！　≡?
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三星稱5nm工藝芯片制造完全沒有問題

  • 　　就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，三星的舉動(dòng)令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動(dòng)平臺(tái)的處理器。 　　   　　實(shí) 際上，作為韓國(guó)高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動(dòng)設(shè)備芯片，而此前在工藝方面
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28nm以下工藝成本與收益現(xiàn)矛盾

  • 　　三十多年來，半導(dǎo)體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣做了類似表示，現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝將在5nm階段達(dá)到極限，而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。 　　Samueli在接受EETimes采訪時(shí)談到了現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝狀態(tài)，28nm及之后的工藝雖然會(huì)繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗，但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益，未
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝

  • 　　Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。 　　他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年?！? 　　按照路線圖，22nm工藝之后，Intel將在2013年進(jìn)入14nm時(shí)代，相應(yīng)產(chǎn)品代號(hào)Broadwell。下一站是10nm，目前還在早期研究階段，預(yù)計(jì)2015年左右實(shí)現(xiàn)。 　　7nm、5nm現(xiàn)在都處于理論研究階段，具體如何去做還遠(yuǎn)未定案
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三星：硅技術(shù)尺寸微縮還將延續(xù)

  • 　　三星電子公司執(zhí)行副總裁兼研發(fā)中心總經(jīng)理Kinam Kim在近日IMEC技術(shù)論壇上表示，業(yè)界有人認(rèn)為芯片特征尺寸微縮極限在5nm左右，而他并不同意這一說法，他相信存在眾多可能的途徑來克服硅微縮過程中所遇到的障礙，使硅產(chǎn)業(yè)越過納米量級(jí)。
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5nm介紹

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