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臺(tái)積電5nm和3nm供應(yīng)達(dá)到"100%利用率" 顯示其對(duì)市場的主導(dǎo)地位

  • 臺(tái)積電的 5nm 和 3nm 工藝是該公司在市場上"最熱門"的產(chǎn)品之一，據(jù)報(bào)道，這家臺(tái)灣巨頭的利用率達(dá)到了 100%。眾所周知，臺(tái)積電是迄今為止半導(dǎo)體行業(yè)中最具主導(dǎo)地位的公司之一，原因很簡單，因?yàn)橛⑻貭柎S和三星等競爭對(duì)手在產(chǎn)品供應(yīng)方面有所懈怠，這就使得這家臺(tái)灣巨頭可以充分利用不斷涌現(xiàn)的需求。根據(jù)Ctee的報(bào)道，臺(tái)積電預(yù)計(jì)到明年5納米生產(chǎn)線的利用率將達(dá)到100%，理由是人工智能行業(yè)的需求將大幅上升。 這一進(jìn)展充分顯示了臺(tái)積電在現(xiàn)代市場中的主導(dǎo)地位，不給競爭對(duì)手任何空間。臺(tái)積電
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臺(tái)積電產(chǎn)能供不應(yīng)求，將針對(duì)先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝漲價(jià)

  • 6月17日，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，在產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況下，臺(tái)積電將針對(duì)3nm/5nm先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝執(zhí)行價(jià)格調(diào)漲。其中，3nm代工報(bào)價(jià)漲幅或在5%以上，而2025年度先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)也將上漲10~20%。
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臺(tái)積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點(diǎn)的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

  • 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級(jí)到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會(huì)像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進(jìn)的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)演講的一部分，臺(tái)積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺(tái)積電計(jì)劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項(xiàng)任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

  • 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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英特爾披露5nm“中國特供版”AI 芯片，性能或暴降92%，最快6月推出

  • 關(guān)于英特爾Gaudi 3的“中國特供版” AI 芯片有了新進(jìn)展。4月15日消息，芯片巨頭英特爾（Intel）日前在官網(wǎng)發(fā)布一份24頁的“Gaudi 3 AI加速器白皮書”中披露，英特爾將推出Gaudi 3在中國發(fā)售的兩款“特供版”AI 芯片產(chǎn)品。英特爾Gaudi 3 AI芯片（圖片來源：Intel官網(wǎng)）具體包括兩種硬件形態(tài)加速卡：一款型號(hào)為HL-328的OAM兼容夾層卡（Mezzanine Card），預(yù)計(jì)將于今年6月24日推出；另一款是型號(hào)為HL-388的PCle加速卡，預(yù)計(jì)將于今年9月24日推出。而基
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

  • ●? ?介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會(huì)遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對(duì)準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們?cè)趇mec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對(duì)單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評(píng)估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節(jié)點(diǎn)后段的最小目標(biāo)金屬間距
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未來的半導(dǎo)體第一大國 印度自研96核CPU來了：直接上5nm

  • 5月22日消息，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，印度也燃起了雄心，此前沒啥基礎(chǔ)的他們都要?jiǎng)?lì)志在5年內(nèi)做全球第一的半導(dǎo)體大國，而且全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，印度高性能計(jì)算中心C-DAC本周就公布了自己研發(fā)的Aum HPC處理器，最多96核，而且是5nm工藝。在高性能計(jì)算市場，ARM處理器近年來確實(shí)取得了一些成績，富士通研發(fā)的48核A64FX處理器之前還成為TOP500超算第一，NVIDIA也有72核到144核的Grace處理器，Ampere公司之前推出了80核的ARM處理器。這幾天Ampere還推出了新一代的云數(shù)據(jù)中心處理器“Amper
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4~5nm良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單增加？三星回應(yīng)

  • 據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單正逐漸增加，稼動(dòng)率也相應(yīng)反彈，12英寸稼動(dòng)率回升至九成。”這一市場消息，三星半導(dǎo)體對(duì)其進(jìn)行了回應(yīng)。報(bào)道指出，三星半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人回應(yīng)表示，“暫無法透露最新良率或者客戶情況。正如我們?cè)?022年4月的財(cái)務(wù)電話會(huì)議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來已穩(wěn)定下來，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來一直在預(yù)期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩(wěn)定了。”據(jù)韓國媒體BusinessKorea報(bào)道，三星4納米制程良率相較之前
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AMD 推出首款 5nm 基于 ASIC 的媒體加速器卡，開啟大規(guī)模交互式流媒體服務(wù)新時(shí)代

  • 2023 年 4 月 6 日，加利福尼亞州圣克拉拉 — AMD （超威，納斯達(dá)克股票代碼：AMD）今日宣布推出 AMD Alveo? MA35D 媒體加速器，該卡具備兩個(gè) 5 納米基于 ASIC 的、支持 AV1 壓縮標(biāo)準(zhǔn)的視頻處理單元（ VPU ），專為推動(dòng)大規(guī)模直播互動(dòng)流媒體服務(wù)新時(shí)代而打造。隨著全球視頻市場超 70% 的份額由直播內(nèi)容主導(dǎo)1，一類新型的低時(shí)延、大容量交互式流媒體應(yīng)用正在涌現(xiàn)，例如連線觀賞、直播購物、在線拍賣和社交流媒體。?AMD Alveo MA35D 媒體加速器Alveo
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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第三大CPU架構(gòu)RISC-V沖向5nm 192核 國產(chǎn)版也要來了：單核性能有驚喜

  • 作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構(gòu)，RISC-V憑借開源、免費(fèi)的優(yōu)勢迅速發(fā)展，之前主要用于低功耗市場，但是現(xiàn)在也開始沖擊高性能領(lǐng)域，Ventana公司日前已經(jīng)做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發(fā)布了第一款產(chǎn)品Veyron V1，該公司研發(fā)了一種高性能RISC-V架構(gòu)，每個(gè)CPU模塊中有16個(gè)RISC-V內(nèi)核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個(gè)處理器可以集成12個(gè)CPU模塊，做到192核，臺(tái)積電5nm工藝生產(chǎn)制造，還有自己開發(fā)的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
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持續(xù)突破，概倫電子NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術(shù)認(rèn)證

  • 概倫電子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對(duì)高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。三星5nm工藝可以提高良率、降低功耗并改善性能，這就需要更高精度的電路仿真和驗(yàn)證工具來實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的先進(jìn)IC設(shè)計(jì)。NanoSpice?的認(rèn)證屬于三星代工廠的EDA認(rèn)證項(xiàng)目，該仿真器可支持最新版的OMI接口（開放模型接口），在模擬IP的大規(guī)模后仿網(wǎng)表仿真中表現(xiàn)出良好的仿真收斂性和準(zhǔn)確性，幫助雙方共同客戶充滿信心地設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)周期的同時(shí)確保更高精度。作為新一
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Credo正式推出基于臺(tái)積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品

  • ?Credo Technology（納斯達(dá)克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺(tái)積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計(jì)算、交換芯片、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長距（LR+）、長距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理（DSP）1
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臺(tái)積電美國 5nm 芯片廠舉行上梁典禮，預(yù)計(jì) 2024 年量產(chǎn)

  • IT之家7 月 28 日消息，兩年前，臺(tái)積電宣布將投資數(shù)十億美元，在美國亞利桑那州廠建立 5nm 晶圓廠。該工廠于 2021 年 4 月動(dòng)工興建，預(yù)計(jì) 2024 年?duì)I運(yùn)量產(chǎn)，月產(chǎn)能 2 萬片。昨日，臺(tái)積電為該工廠舉行了上梁典禮。臺(tái)積電的領(lǐng)英（linkedin）賬號(hào)顯示，本次上梁典禮有 4000 多名臺(tái)積電員工及合作伙伴參加，他們一起慶祝了臺(tái)積電 5nm 工廠的新里程碑。該典禮的舉行意味著該工廠的基礎(chǔ)設(shè)施全部完工，即將開始安裝設(shè)備進(jìn)行調(diào)試。該工廠未來產(chǎn)能以 5nm 工藝為主，這將是美國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。此
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臺(tái)積電希望美國打錢支持：5nm晶圓廠成本超預(yù)期

  • 芯研所7月15日消息，2020年臺(tái)積電宣布將在美國建設(shè)晶圓廠，這是他們首次在海外建設(shè)先進(jìn)工藝的5nm工廠，總投資計(jì)劃高達(dá)240億美元，目前還在建設(shè)中。在美國建設(shè)晶圓廠的成本是要高于亞洲地區(qū)的，在今天的Q2財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電也談到了這個(gè)問題，表示仍處于工廠的建設(shè)階段，美國工廠的成本比我們預(yù)期的要高。芯研所采編臺(tái)積電表示，我們將這些信息提供給了當(dāng)?shù)卣?，讓他們?nèi)媪私獬杀静罹?，臺(tái)積電仍在努力爭取政府補(bǔ)貼，將繼續(xù)努力降低成本。此前美國推出了高達(dá)520億美元的半導(dǎo)體補(bǔ)貼法案，很多半導(dǎo)體公司都在爭取這一補(bǔ)貼，不過這
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5nm介紹

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