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Marvell 推出定制 HBM 計(jì)算架構(gòu):XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強(qiáng)

  • 12 月 11 日消息,Marvell 美滿電子美國加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間 10 日宣布推出“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”(Custom HBM Compute Architecture),可令各種 XPU 處理器實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項(xiàng)可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術(shù)對(duì)其所有定制芯片客戶開放,并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”采用了非行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 HBM I/O 接口設(shè)計(jì),可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
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三星擴(kuò)大高帶寬存儲(chǔ)器封裝產(chǎn)能

  • 據(jù)外媒報(bào)道,三星正在擴(kuò)大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產(chǎn)能,主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求,下一代高帶寬存儲(chǔ)器封裝(HBM)的重要性日益重要,三星希望通過提升封裝能力,確保他們未來的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距?!?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠,業(yè)內(nèi)人士透露他們?cè)谌径纫淹嚓P(guān)廠商簽署了設(shè)備采購協(xié)議,合同接近200億韓元,目的是擴(kuò)大工廠的產(chǎn)能?!?另外,三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴(kuò)大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議,計(jì)劃在韓國天安市新建一座專門
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如何獲得足夠的HBM,并將其堆疊的足夠高?

  • 任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益,方能被采用。
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AI需求持續(xù)爆發(fā)!“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉,周四,SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收,這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商,這家韓國存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元),上年同期為虧損1.8萬億韓元,高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%,達(dá)到17.6萬億韓元,而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來,SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%,原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資,同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額,SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí),SK 海力
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HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

  • TrendForce指出,隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建,高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)處高成長階段,平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍,待下一代HBM3e量產(chǎn),加上產(chǎn)能擴(kuò)張,營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出,HBM市場(chǎng)仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器,在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn),2025年HBM是否過剩仍待觀察

  • 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇,而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù),加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長,目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)與Micron(美光)已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品,目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快,有望于今年底完成
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HBM外另一大關(guān)注重點(diǎn):新一代存儲(chǔ)器GDDR7是什么?

  • 隨著GDDR7存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定,存儲(chǔ)器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比,GDDR7提供大升級(jí),提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲(chǔ)器呢?其實(shí)GDDR(Graphics Double Data Rate)的「G」,可以得知是用于GPU的顯示存儲(chǔ)器,如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世,首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU,其起始的顯存時(shí)脈頻率為14
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SK 海力士:美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息,據(jù)韓媒 MK 報(bào)道,SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示,M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作,與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通,并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動(dòng),三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息,據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告,三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM(IT之家注:整合組件制造)企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位,第二位則是英特爾?!?圖源 IDC報(bào)告表示,數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升,其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升,使總體內(nèi)存市場(chǎng)營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn),AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售,同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見聞報(bào)道稱,SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱,海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能,這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降;再加上下半年是傳統(tǒng)旺季,預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲?!?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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美光將在中國臺(tái)灣加碼投資,或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息,美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺(tái)灣,將帶來更進(jìn)一步合作,例如在人工智能(AI)應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。據(jù)悉,美光將加碼在中國臺(tái)灣投資,除制造HBM先進(jìn)制程外,不排除有機(jī)會(huì)在中國臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。據(jù)悉,中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門于2021年5月申請(qǐng)領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計(jì)劃(大A+),提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)航計(jì)劃,在中國臺(tái)灣設(shè)立第一個(gè)研發(fā)中心,獲補(bǔ)助47億元新臺(tái)幣,將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國臺(tái)灣生產(chǎn)。2021年,美光在中國臺(tái)灣申請(qǐng)
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存儲(chǔ)技術(shù),掀起一輪新革命

  • 內(nèi)存市場(chǎng)迎來新一輪 DRAM 技術(shù)「革命」。
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是?

  • 人工智能AI浪潮下,以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來了新一輪的發(fā)展契機(jī),而與此同時(shí),在服務(wù)器需求推動(dòng)下,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前,AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加,為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求,需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬,在此情況下,服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日,JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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HBM4持續(xù)加速:AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版,旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率,同時(shí)保持基本特性,例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要,包括生成人工智能(AI)、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
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