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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管,這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案,專為保護(hù)碳化硅(SiC)MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高,因此越來越受到歡迎,對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案,在簡化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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碳化硅6吋基板供過于求 價(jià)格崩盤

  • 碳化硅(SiC)6吋基板新產(chǎn)能大量開出,嚴(yán)重供過于求,報(bào)價(jià)幾乎季季跳水,2024年年中每片低于500美元(約中國大陸制造成本價(jià)),第四季價(jià)格已有喊到450、400美元(9月400~600美元),甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出,價(jià)格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售,而買家不敢輕易出手撿便宜,因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價(jià)格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板,雖未到真正量產(chǎn),但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑,尤其是中國大陸價(jià)格直落,彷佛坐上溜滑梯,下修速度甚快。業(yè)者分析,8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格,供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段,供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目,鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

  • 據(jù)“融中心”消息,大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:鉅芯半導(dǎo)體)在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉,三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開,將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解,今年以來,部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè),并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道,今年3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布,已在韓國首次成功開發(fā)出2
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進(jìn)擊的中國碳化硅

  • 中國碳化硅廠商把價(jià)格打下來了。
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全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠?

  • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國際能源署(IEA)今年發(fā)布的報(bào)告稱,2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸,較2022年增加4.1億噸,再創(chuàng)新的記錄。其中,交通運(yùn)輸排放增長最為顯著,激增近2.4億噸,位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一,對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動(dòng)的電氣化列車,這一比率則更低。因此,擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車不同的是,電力機(jī)車已被廣泛使用了一百多年。然而,全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾,不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • 壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車脫離了發(fā)動(dòng)機(jī),以電池為動(dòng)力,通過逆變電路驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī),從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件,除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度(制冷,制熱)以外,對電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機(jī)需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世!為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù),推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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劍指8英寸碳化硅!兩大廠官宣合作

  • 9月24日,Resonac(原昭和電工)在官網(wǎng)宣布,其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中,Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶,Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉,Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù),該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底,將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底,然后將單晶襯底分割成薄膜,從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓,由此顯著提
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬,有
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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

  • 隨著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移,例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移,可能會發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化,從而導(dǎo)致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能:自動(dòng)提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時(shí)間的應(yīng)力測量序列輕松導(dǎo)出測量數(shù)據(jù)進(jìn)行高級分析本文說明描述了如何在Kei
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達(dá)成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠,助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
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Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 芝加哥,2024年9月19日--Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。這些柵極驅(qū)動(dòng)器專為驅(qū)動(dòng)MOSFET而設(shè)計(jì),通過增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動(dòng)器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本,為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動(dòng)器具有16納秒的短傳播延遲時(shí)間和7納秒的短暫
  • 關(guān)鍵字: littlefuseli  MOSFET  

第4講:SiC的物理特性

  • 與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度,可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外,由
  • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

第5講:SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)(SF)、以及刃位錯(cuò)(TED)、螺旋位錯(cuò)(TSD)、基面位錯(cuò)(BPD)和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言,最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中,微管是1?10個(gè)/cm2,位錯(cuò)的密度約為103~10?長達(dá)個(gè)/cm2。至今,與Si相
  • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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