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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

緯湃科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長期供應(yīng)協(xié)議

  • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元(17.5億歐元)的碳化硅(SiC)產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資,獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù),以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外,兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

  • 中國北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行,并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds?

  • MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū),導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定,即不能采用飽和Rc
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投身車電領(lǐng)域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

  • 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對電動(dòng)汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵(lì)措施,電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí),不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì),全球電動(dòng)汽車市場規(guī)模將從 2
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊,打造充電更快的車載充電器?

  • 要能快速高效地為電動(dòng)車更大的電池充電,電動(dòng)車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年,市場上排名前 12 位的電動(dòng)汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費(fèi)者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車輛充電時(shí)間,OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW,甚至高達(dá) 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí),這些電動(dòng)汽車需要 12.1 小時(shí)才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后,充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí),而使用 22 kW OBC 時(shí),只需
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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

  • 近日,中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為,該項(xiàng)目技術(shù)難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù),貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

  • “引言”近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如,多
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

  • 近期,一眾國內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團(tuán)宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中,瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出,按照計(jì)劃,瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  • 近兩年新能源汽車和光伏儲(chǔ)能市場的火熱,讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn),逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn),正在SiC使用量增大的階段,卻面臨了整個(gè)市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素,目前前道是最大的瓶頸,特別是前道的“最前端” ,SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。面對這種問題,作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢?一方面,英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,保
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目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場,安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠

  • IT之家 5 月 18 日消息,安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元,用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠,目標(biāo)在全球汽車碳化硅(SiC)芯片市場中,占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國、捷克共和國和韓國都設(shè)有工廠,其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠,安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年,安森美半導(dǎo)體的銷售
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2023年,SiC襯底出貨量將勁增22%

  • 2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長。
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碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來

賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

  • 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU),旨在開展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬美元的戰(zhàn)略合作,其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年,安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU),開展總額達(dá) 800 萬美元的戰(zhàn)略合作,其中包
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

  • SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如降壓、升壓、橋臂(phase-leg),甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅,或定制組合,具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分)在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小,具有幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢:· 
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安森美與Kempower就電動(dòng)汽車充電樁達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議

  • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布與Kempower達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車(EV)充電樁。雙方此項(xiàng)合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù),開發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側(cè)和次級側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。  安森美為Kempower 的Satellit
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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