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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

  • IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報(bào)告稱，隨著電池電動(dòng)汽車的發(fā)展，汽車半導(dǎo)體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動(dòng)力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復(fù)合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當(dāng)前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當(dāng)前約 364.11
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英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動(dòng)社會(huì)永續(xù)發(fā)展

  • 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會(huì)。英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個(gè)財(cái)年所取得的驕人業(yè)績，同時(shí)探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財(cái)年英飛凌全球營收達(dá)到142.18億歐元，利潤達(dá)到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達(dá)37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
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Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

  • 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá)
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SiC融資火熱！今年以來超20家獲融資，金額超23億

  • 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達(dá)天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪融
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是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

  • 在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗
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碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)

  • 據(jù)報(bào)道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團(tuán)宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運(yùn)行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
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SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成

  • 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計(jì)，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動(dòng)2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動(dòng)車與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

  •   前  言  1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會(huì)在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡，自然對(duì)于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
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GaN 時(shí)代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí)，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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碳化硅快充時(shí)代來臨，800V高壓超充開始普及！

  • 一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si（硅）早已
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車中

  • 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團(tuán)（BMW）簽署長期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對(duì)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機(jī)械特性實(shí)現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應(yīng)聲下跌

  • 3 月 3 日消息，美國電動(dòng)汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計(jì)劃減少下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統(tǒng)工程負(fù)責(zé)人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺(tái)展示了公司計(jì)劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)降低汽車動(dòng)力系統(tǒng)的成本。坎貝爾透露，“在我們的下一代動(dòng)力系統(tǒng)中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

  • 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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碳化硅如何革新電氣化趨勢

  • 在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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碳化硅（sic）介紹

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